Teoria diagramática em semicondutores
| Ano de defesa: | 2004 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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| Programa de Pós-Graduação: |
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| Departamento: |
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/881 |
Resumo: | O cálculo da luminescência em um semicondutor de gap direto e feito através de dois métodos bastante utilizados na literatura espelicializada na área, são tomados para uma simples comparação dos resultados teóricos obtidos. No primeiro caso, o método da equação de movimento da função de Green que, representa a interação entre o campo excitante, no caso um LASER potente e, a amostra semicondutora e desenvolvido com uso do desacoplamento RPA. A função diel étrica e obtida desse cálculo. No segundo a aplicação da teoria diagramática de perturbação, como um método mais rigoroso e sofisticado, no entanto de domínio mais difícil, e desenvolvido com o mesmo propósito do anterior. Com mais elegância obtemos o c álculo da luminescência. Os dois métodos são apresentados com alguma completude. Ao nal comparamos os dois resultados. |
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