Teoria diagramática em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2004
Autor(a) principal: Marques, Antônio Neudson Lima
Orientador(a): Costa Filho, Raimundo Nogueira da
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/881
Resumo: O cálculo da luminescência em um semicondutor de gap direto e feito através de dois métodos bastante utilizados na literatura espelicializada na área, são tomados para uma simples comparação dos resultados teóricos obtidos. No primeiro caso, o método da equação de movimento da função de Green que, representa a interação entre o campo excitante, no caso um LASER potente e, a amostra semicondutora e desenvolvido com uso do desacoplamento RPA. A função diel étrica e obtida desse cálculo. No segundo a aplicação da teoria diagramática de perturbação, como um método mais rigoroso e sofisticado, no entanto de domínio mais difícil, e desenvolvido com o mesmo propósito do anterior. Com mais elegância obtemos o c álculo da luminescência. Os dois métodos são apresentados com alguma completude. Ao nal comparamos os dois resultados.
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