Conversores estáticos com retificador semicontrolado.

• Ano de defesa: 2016
• Autor(a) principal: MARINUS, Nustenil Segundo de Moraes.
• Orientador(a): JACOBINA, Cursino Brandão. , ROCHA, Nady.
• Banca de defesa: SILVA, Edison Roberto Cabral da., FERNANDES, Darlan Alexandria., OLIVEIRA JÚNIOR, Demercil de Souza., VITORINO, Montiê Alves.
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Campina Grande
• Programa de Pós-Graduação: PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
• Departamento: Centro de Engenharia Elétrica e Informática - CEEI
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Conversores estáticos; Distorção harmônica; Conversores monofásicos de três braços; Conversores multiníveis; Conversores semicontrolados; Retificador semicontrolado; Static Converters; Harmonic distortion; Three-phase single-phase converters; Multilevel converters; Semicontrolled converters; Semi-controlled rectifier
• Área do conhecimento CNPq: Engenharia Elétrica.
• Link de acesso: https://dspace.sti.ufcg.edu.br/handle/riufcg/18200

Neste trabalho são estudados conversores que utilizam retificadores semicontrolados, ou seja, usam braços com chaves controladas (por exemplo, IGBTs), braços com chaves não~controladas (por exemplo, diodos) e braços com chaves controladas e n˜ao-controladas com o objetivo de reduzir os custos do conversor. Foram estudadas configurações de conversores CA-CC-CA monofásico-monofásico de três braços com o uso de braços de dois ou três níveis, retificador monofásico de três braços usado em sistemas de distribuição `a três fios, conversor CA-CC-CA trifásico-trifásico baseado em três conversores monofásicos de três braços e conversores usados em sistemas de conversão de energia eólica usando máquina à ímã permanente. Para cada topologia, s˜ao mostrados: (i) modelo dinâmico do sistema; (ii) estratégias PWM; (iii) estratégia de controle; (iv) análise de desempenho das configurações segundo os critérios de distorção harmônica e perdas de condução e chaveamento nos semicondutores. Também s˜ao mostrados resultados de simula¸c˜ao e experimentais.