Uma referência de tensão e corrente CMOS utilizando SCCTs e com VDD de 0,85 V

• Ano de defesa: 2021
• Autor(a) principal: CASTRO, Thainann Henrique Pereira de
• Orientador(a): MORENO, Robson Luiz
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
• Departamento: IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: Referência de tensão; Análise dos SCCTs; Equacionamento
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA
• Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2849

Este trabalho apresenta uma topologia de uma referência de tensão e corrente pouco sensível em relação à temperatura de operação, tensão de alimentação e aos efeitos dos processos de fabricação CMOS. Para alcançar a compensação térmica, é utilizado uma configuração self-cascode composite transistor (SCCT), que é responsável pela geração das tensões PTAT (proportional to absolute temperature) e CTAT (complementary to absolute temperature), que são somadas através do auxílio de amplificadores operacionais (AmpOp) e espelhos de corrente. O circuito fornece uma referência de tensão e corrente média, dos valores medidos, de 483,58 mV e 1,317 µA com coeficientes de temperatura (TC) de 25 ppm/ °C e 77 ppm/ °C respectivamente, operando em uma faixa de temperatura de -30 °C a 100 °C, com uma tensão mínima de 850 mV e PSR médio, em 50 Hz, de -15,2 dB e -16,36 dB em 1.8 V para VREF e IREF respectivamente. A área do circuito desenvolvido é 269 µm x 654 µm. São apresentadas nesta dissertação, a descrição do projeto, e simulações pertinentes do circuito pós leiaute da topologia proposta e sua caracterização elétrica. O circuito foi desenvolvido usando um processo CMOS padrão de 180 nm.