Fenômenos de transporte em superredes de InAs/GaAs contendo pontos quânticos

• Ano de defesa: 2005
• Autor(a) principal: SOUZA, Leandro Rodrigues de
• Orientador(a): SOARES, Demétrio Artur Werner
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Itajubá
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Materiais para Engenharia
• Departamento: IEM - Instituto de Engenharia Mecânica
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: InAs/GaAs; Superredes; Efeito Hall; Espalhamento
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALÚRGICA
• Link de acesso: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3220

Os pontos quânticos autogerados têm despertado muito interesse em pesquisas básicas e aplicadas. Neste trabalho, medidas de resistividade pelo método de van der Pauw e de efeito Hall são realizadas para obter a mobilidade de uma série de amostras de superredes de InAs/GaAs crescidas por Epitaxia de Feixes Moleculares no modo Stranski-Kastranov e contendo pontos quânticos de InAs. Efetuamos também medidas I(V) com alimentação DC. Três parâmetros de crescimento foram variados: a cobertura de InAs, o número de repetições das multicamadas de InAs/GaAs e a espessura do espaçador de GaAs. As medidas foram realizadas em uma faixa de temperatura de 5 a 310 K. Os resultados indicam amostras com baixa resistividade e dependência da mobilidade em relação à temperatura, que foi ajustada de forma a avaliar a aplicabilidade dos modelos de espalhamentos conhecidos. Devido ao confinamento quântico na interface entre InAs e GaAs, todos os mecanismos de espalhamento utilizados consideraram um gás bidimensional de elétrons. Os mecanismos de espalhamento considerados foram: espalhamento por deformação de potencial e piezelétrico, por fônons acústicos, por fônons ópticos polares e espalhamento por impurezas ionizadas. O espalhamento por impurezas ionizadas revela-se dominante às baixas temperaturas e o espalhamento por fônons ópticos polares, às altas temperaturas. O modelo de espalhamento por impurezas ionizadas fornece uma estimativa da concentração de impurezas. A análise da concentração de portadores evidenciou que propriedades como forma, tamanho, peso específico e simetria dos pontos quânticos têm maior influência nas propriedades elétricas às baixas temperaturas, abaixo de 30 K. A caracterização I(V) evidenciou comportamentos elétricos não lineares para altas intensidades de campo elétrico aplicado e sob excitação de radiação infravermelha.