Estudo estrutural e propriedades de transporte de filmes espessos de Hg,Re-1223

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2014
Autor(a) principal: Rodrigues Junior, Valdi Antonio
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal do Espírito Santo
BR
Doutorado em Física
Centro de Ciências Exatas
UFES
Programa de Pós-Graduação em Física
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
53
Link de acesso: http://repositorio.ufes.br/handle/10/7488
Resumo: This works describes the development of Hg0.82Re0,18Ba2Ca2Cu3O8+x thick film prepared with a precursor Ba2Ca2Cu3O5+d thick film, which was layered by Laser Ablation technique on PrBa2Cu3O7 substrate. The precursor thick film was thermally treated under mercury atmosphere using an encapsulate quartz tube technique. DC critical current measurements below Tc determined the thick film superconductor current critical density as a function of temperature. The general behavior of the critical current density as a function of temperature confirms that the (Hg,Re)-1223 thick film has junctions type classified as superconducting-insulate-superconducting (SIS). After the critical current test the superconductor thick film has not shown any degradation or stoichiometry loss and its critical temperature has not changed after the test. Taken into account the critical current value of thick film as compared with the bulk sample, it was suggested that the procedure described here can be applied to build most electronic-type applications based on (Hg,Re)-1223 ceramic thick film.
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