Estudo Tight-Binding das propriedades eletrônicas de nitretos III-N dopados e suas ligas

• Ano de defesa: 2026
• Autor(a) principal: Piassi, Fábio Antunes
• Orientador(a): Martins, Adriano de Souza
• Banca de defesa: Costa, Lucas Modesto da , Venezuela, Pedro Paulo de Mello
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Link de acesso: https://app.uff.br/riuff/handle/1/42696; http://dx.doi.org/10.22409/PPGF.2022.m.13099601780
• topic: Nitretos III-V; Tight-binding; Estados eletrônicos; Doadores substitucionais.; Nitretos III-V; Tight-binding; Estados eletrônicos; Doadores substitucionais; Produção intelectual; Nitrides III-V; Tight-binding; Electronic states; Substitutional donors

O presente trabalho utiliza o formalismo de orbitais fortemente ligados(tight-binding) no estudo das propriedades eletrônicas dos semicondutores AlN, GaN, InN, tanto no bulk quanto dopados com impurezas substitucionais doadoras. Para tanto, foram obtidas parametrizações inéditas destes compostos, que resultaram em boas descrições de suas estruturas de bandas. A qualidade das parametrizações também é avaliada a partir do estudo da variação do gap das ligas do tipo AxB1−xN, onde A, B = Al, Ga e In. No estudo dos estados de impureza, a partir da utilização do método de matrizes esparsas para o cálculo de um número seleto de autovalores, foi possível estudar sistemas com algumas dezenas de milhares de átomos, permitindo obter assim resultados convergidos para a energia de ligação, um passo necessário na medida que os estados introduzidos no gap variam de rasos para intermediários, com comprimentos de localização na ordem de algumas dezenas de angstrons. O modelo de tight-binding também consegue reproduzir a estrutura de níveis previstas pela teoria de grupos.