Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2012
Autor(a) principal: Gonçalves, Alison Arantes lattes
Orientador(a): Anjos, Virgilio de Carvalho dos lattes
Banca de defesa: Alves, Horácio Wagner Leite lattes, Furones, Maikel Yusat Ballester lattes, Mund, Jens Karl Heinz lattes
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-graduação em Física
Departamento: ICE – Instituto de Ciências Exatas
País: Brasil
Palavras-chave em Português:
Heteroestruturas
Espalhamento Raman eletrônico
Heterostructures
Electronic Raman Scattering
Área do conhecimento CNPq:
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Link de acesso: https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/4887
Resumo: Apresentamos uma teoria para obtenção da seção de choque de espalhamento inelástico de luz, espalhamento Raman, a temperatura de T = OK em um gás de elétrons quasi-bidimensional formado pela heteroestrutura semicondutora de A1GaAs-GaAs dopada seletivamente. Os cálculos de estrutura eletrônica foram baseados na Teoria do Funcional Densidade dentro da aproximação de densidade local. Os cálculos para a seção de choque foram realizados em geometria de retroespalhamento e em regime de ressonância do laser incidente com o gap ótico de spin-órbita do GaAs. Estudamos os mecanismos de excitações de densidade de carga e excitações de densidade de spin. Os resultados obtidos foram [1]: 1) a observação do colapso do termo de Hartree nas excitações de densidade de carga para baixas densidades, observado experimentalmente por Ernst et al. [2]; 2) a observação de um cruzamento anômalo entre as excitações de densidade de carga e densidade de spin, em virtude dos funcionais de exchange-correlação. Este efeito constitui um teste de validade para as parametrizações adotadas; 3) a predição da existência de excitações de mais alta energia, ainda não observadas experimentalmente. Finalmente, demonstramos que o formalismo desenvolvido permite mapear as excitações eletrônicas na teoria BCS.
id UFJF_66a5b7f5dc31d405bc6bc520645f1dcf
oai_identifier_str oai:hermes.cpd.ufjf.br:ufjf/4887
network_acronym_str UFJF
network_name_str Repositório Institucional da UFJF
repository_id_str
spelling Anjos, Virgilio de Carvalho doshttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782111Y6Alves, Horácio Wagner Leitehttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4783282U5Furones, Maikel Yusat Ballesterhttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4206582A4Mund, Jens Karl Heinzhttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4738659H4http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4413479T6Gonçalves, Alison Arantes2017-06-26T17:46:44Z2017-06-072017-06-26T17:46:44Z2012-03-08https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/4887Apresentamos uma teoria para obtenção da seção de choque de espalhamento inelástico de luz, espalhamento Raman, a temperatura de T = OK em um gás de elétrons quasi-bidimensional formado pela heteroestrutura semicondutora de A1GaAs-GaAs dopada seletivamente. Os cálculos de estrutura eletrônica foram baseados na Teoria do Funcional Densidade dentro da aproximação de densidade local. Os cálculos para a seção de choque foram realizados em geometria de retroespalhamento e em regime de ressonância do laser incidente com o gap ótico de spin-órbita do GaAs. Estudamos os mecanismos de excitações de densidade de carga e excitações de densidade de spin. Os resultados obtidos foram [1]: 1) a observação do colapso do termo de Hartree nas excitações de densidade de carga para baixas densidades, observado experimentalmente por Ernst et al. [2]; 2) a observação de um cruzamento anômalo entre as excitações de densidade de carga e densidade de spin, em virtude dos funcionais de exchange-correlação. Este efeito constitui um teste de validade para as parametrizações adotadas; 3) a predição da existência de excitações de mais alta energia, ainda não observadas experimentalmente. Finalmente, demonstramos que o formalismo desenvolvido permite mapear as excitações eletrônicas na teoria BCS.We present a theory for obtaining the inelastic light scattering cross section, Raman scattering, at T = OK temperature in a quasi-bidimensional electron gas formed by the GaAs-A1GaAs semiconductor heterostructure doped selectively. The electronic structure calculations were based on Density Functional Theory within the local density approximation. The calculations for the cross section were performed in backscattering geometry and resonant regime of the incident laser with the spin-orbit optical gap of GaAs . We study charge density excitations mechanism and spin density excitations mechanism. Our results were as follows [1] 1) the observation of the collapse of the Hartree term in the charge density excitation for low densities, observed experimentally by Ernst et al. [2], 2) the observation of an anomalous cross between charge density and spin density excitations, due to the exchange-correlation functional. This effect is a validity test for the adopted parameterizations; 3) the prediction of the existence of excitations of higher energy, not yet observed experimentally. Finally, we demonstrate that the formalism developed enables mapping the electronic excitations in the BCS theory, which describes the normal superconducting state.CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorporUniversidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)Programa de Pós-graduação em FísicaUFJFBrasilICE – Instituto de Ciências ExatasCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAHeteroestruturasEspalhamento Raman eletrônicoHeterostructuresElectronic Raman ScatteringExcitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luzinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFJFinstname:Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)instacron:UFJFTEXTalisonarantesgoncalves.pdf.txtalisonarantesgoncalves.pdf.txtExtracted texttext/plain129083https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/3/alisonarantesgoncalves.pdf.txt7e23f619167d8be3d091d2af9a0f0c85MD53THUMBNAILalisonarantesgoncalves.pdf.jpgalisonarantesgoncalves.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1122https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/4/alisonarantesgoncalves.pdf.jpgf7352a2c98e4c50ae5bce1111993b3acMD54ORIGINALalisonarantesgoncalves.pdfalisonarantesgoncalves.pdfapplication/pdf3160281https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/1/alisonarantesgoncalves.pdfb3f8a1585b5f5884a5571e6857646b8bMD51LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-82197https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/2/license.txt000e18a5aee6ca21bb5811ddf55fc37bMD52ufjf/48872019-06-16 06:48:40.054oai:hermes.cpd.ufjf.br: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Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufjf.br/oai/requestopendoar:2019-06-16T09:48:40Repositório Institucional da UFJF - Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
title Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
spellingShingle Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
Gonçalves, Alison Arantes
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Heteroestruturas
Espalhamento Raman eletrônico
Heterostructures
Electronic Raman Scattering
title_short Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
title_full Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
title_fullStr Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
title_full_unstemmed Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
title_sort Excitações coletivas em sistemas eletrônicos quasi-2d via espalhamento inelástico de luz
author Gonçalves, Alison Arantes
author_facet Gonçalves, Alison Arantes
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Anjos, Virgilio de Carvalho dos
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782111Y6
dc.contributor.referee1.fl_str_mv Alves, Horácio Wagner Leite
dc.contributor.referee1Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4783282U5
dc.contributor.referee2.fl_str_mv Furones, Maikel Yusat Ballester
dc.contributor.referee2Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4206582A4
dc.contributor.referee3.fl_str_mv Mund, Jens Karl Heinz
dc.contributor.referee3Lattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4738659H4
dc.contributor.authorLattes.fl_str_mv http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4413479T6
dc.contributor.author.fl_str_mv Gonçalves, Alison Arantes
contributor_str_mv Anjos, Virgilio de Carvalho dos
Alves, Horácio Wagner Leite
Furones, Maikel Yusat Ballester
Mund, Jens Karl Heinz
dc.subject.cnpq.fl_str_mv CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
topic CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
Heteroestruturas
Espalhamento Raman eletrônico
Heterostructures
Electronic Raman Scattering
dc.subject.por.fl_str_mv Heteroestruturas
Espalhamento Raman eletrônico
Heterostructures
Electronic Raman Scattering
description Apresentamos uma teoria para obtenção da seção de choque de espalhamento inelástico de luz, espalhamento Raman, a temperatura de T = OK em um gás de elétrons quasi-bidimensional formado pela heteroestrutura semicondutora de A1GaAs-GaAs dopada seletivamente. Os cálculos de estrutura eletrônica foram baseados na Teoria do Funcional Densidade dentro da aproximação de densidade local. Os cálculos para a seção de choque foram realizados em geometria de retroespalhamento e em regime de ressonância do laser incidente com o gap ótico de spin-órbita do GaAs. Estudamos os mecanismos de excitações de densidade de carga e excitações de densidade de spin. Os resultados obtidos foram [1]: 1) a observação do colapso do termo de Hartree nas excitações de densidade de carga para baixas densidades, observado experimentalmente por Ernst et al. [2]; 2) a observação de um cruzamento anômalo entre as excitações de densidade de carga e densidade de spin, em virtude dos funcionais de exchange-correlação. Este efeito constitui um teste de validade para as parametrizações adotadas; 3) a predição da existência de excitações de mais alta energia, ainda não observadas experimentalmente. Finalmente, demonstramos que o formalismo desenvolvido permite mapear as excitações eletrônicas na teoria BCS.
publishDate 2012
dc.date.issued.fl_str_mv 2012-03-08
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2017-06-26T17:46:44Z
dc.date.available.fl_str_mv 2017-06-07
2017-06-26T17:46:44Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/4887
url https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/4887
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de Pós-graduação em Física
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFJF
dc.publisher.country.fl_str_mv Brasil
dc.publisher.department.fl_str_mv ICE – Instituto de Ciências Exatas
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFJF
instname:Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
instacron:UFJF
instname_str Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
instacron_str UFJF
institution UFJF
reponame_str Repositório Institucional da UFJF
collection Repositório Institucional da UFJF
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/3/alisonarantesgoncalves.pdf.txt
https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/4/alisonarantesgoncalves.pdf.jpg
https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/1/alisonarantesgoncalves.pdf
https://repositorio.ufjf.br/jspui/bitstream/ufjf/4887/2/license.txt
bitstream.checksum.fl_str_mv 7e23f619167d8be3d091d2af9a0f0c85
f7352a2c98e4c50ae5bce1111993b3ac
b3f8a1585b5f5884a5571e6857646b8b
000e18a5aee6ca21bb5811ddf55fc37b
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFJF - Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1833922447652421632

Registros relacionados