Ressonância e relaxação ferromagnética em válvulas de spin e relaxação em filmes de permalloy

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2003
Autor(a) principal: OLIVEIRA, Robson Carlos Figueiredo
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Pernambuco
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Espalhamento de dois-mágnons
Mecanismos de relaxação ferromagnética
Largura de linha de FMR
Exchange-bias
Estruturas de válvulas de spin
Ressonância ferromagnética (FMR)
Link de acesso: https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/6839
Resumo: Nesta dissertação investigamos propriedades dinâmicas de válvulas de spin e mecanismos de relaxação em filmes de Permalloy. Foi utilizada a técnica de ressonância ferromagnética operando na banda X de microondas, à temperatura ambiente. As estruturas de válvulas de spin foram depositadas por sputtering dc e possuem composição do tipo Si(001)/NiO(900Å)/Py(100Å)/Cu(tcu)/Py(100Å)/Cu(45Å). Analisamos as propriedades de ressonância ferromagnética para quatro amostras com diferentes espessuras da camada espaçadora de Cobre. Mostramos que existe uma competição entre o acoplamento indireto entre as camadas de Py, mediado pela camada de Cobre, com o acoplamento direto entre a camada presa de Py e a camada de NiO. Os resultados experimentais obtidos para estas estruturas foram interpretados através de um modelo fenomenológico que leva em conta a energia livre magnética do sistema. Com o objetivo de estudar os processos de relaxação em filmes de ferromagnéticos, foram preparadas amostras de Permalloy com camadas adjacentes de materiais diversos. Verificamos que a dependência da largura de linha de FMR apresenta comportamentos que dependem do material adjacente. Filmes de Permalloy depositados diretamente sobre substratos de Si apresentam uma dependência com a espessura do Py do tipo 1/t2. Filmes de Py sanduichados por camadas de Paládio apresentam uma dependência do tipo 1/t. Concluímos que diferentes mecanismos de relaxação atuam nas amostras. Fizemos uma conexão dos nossos resultados com as teorias fenomenológicas existentes
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