Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos
| Ano de defesa: | 2020 |
|---|---|
| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Pelotas
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
|
| Departamento: |
Centro de Desenvolvimento Tecnológico
|
| País: |
Brasil
|
| Palavras-chave em Português: | |
| Área do conhecimento CNPq: | |
| Link de acesso: | http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8277 |
Resumo: | O presente trabalho tem por objetivo estudar as propriedades eletroquímicas dos filmes finos de V2O5 e V2O5:ZnO. A obtenção dos filmes será realizada segundo o método de condensação dos peroxovanadatos. Através do processo de deposição dos filmes via Dip-coating e após tratamento térmico a 120oC, serão analisadas as mudanças no comportamento eletroquímico do material bem como a interferência do elemento dopante nestas propriedades, através de analises de voltametria cíclica, Cronocoulometria e Cronocoulometria. Analises de Difração de raios-X, Microscopia de Força Atômica serão utilizadas para obtenção das características estruturais e superficiais do filme bem como determinação de sua composição quantitativa/qualitativamente e formação de fases no material. Através dos resultados obtidos a respeito do comportamento eletroquímico observado no material, foi possível observar mudanças consideráveis geradas pelo uso de ZnO como dopante no que tange a densidade de corrente e de carga. Ambas sofreram aumento considerável até o percentual de dopagem de 1,5%mol de ZnO, que foi o valor que exibiu as melhores características gerais. Também foi possível observar mudanças no comportamento difusional dos com a dopagem, sendo que para os para os Picos catódico 2 e anódico 2, o coeficiente de difusão D sofreu mudanças de grandeza que favorecem o uso de dopante. Também se verificou a estabilidade a sucessivos ciclos no filme, e, como demonstram as voltametrias para 300 ciclos, o filme contendo ZnO sofreu razoável melhora, conservando suas densidades de corrente com maior magnitude do que o filme sem presença de dopante. Foi possível observar com a técnica de Difração de Raios-X o efeito do ZnO na microestrutura, e através dela, foi possível observar que a matriz manteve sua estrutura lamelar, mas com a diminuição do padrão de difração (001). Também foram observadas mudanças nas distancias interplanares e tamanho médio de cristalito. Com a técnica Espectofotometria, foi estudado a variação na coloração do filme e seu potencial de modulação ótica com/sem potencial aplicado. O mesmo exibiu resultados satisfatório reduzindo o percentual de transmitância de 77% para 52% com o filme polarizado, sendo o filme com dopante, o que obteve este resultado. Por fim, através da Microscopia de Força Atômica foi estudado as mudanças superficiais geradas no filme. O filme com 1,5%mol de ZnO apresentou maior rugosidade dentre as amostras, o que evidencia um aumento na superficial do filme o que possibilita maior área de contato para trocas iônicas entre o filme e o eletrólito, o que por fim, também justifica a melhora no comportamento eletroquímico do material. |
| id |
UFPL_69a648df4dd6a7cec8e60497f9716678 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:guaiaca.ufpel.edu.br:prefix/8277 |
| network_acronym_str |
UFPL |
| network_name_str |
Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca |
| repository_id_str |
|
| spelling |
2022-04-05T19:29:28Z2022-04-05T19:29:28Z2020-02-27PERES, Leandro Lemos de. Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos. 2020, 50f. Dissertação de Mestrado, Programa de Pós-raduação em Ciência e Engenharia de Materiais, Centro de Desenvolvimento Tecnológico, Universidade Federal de Pelotas, 2018.http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8277O presente trabalho tem por objetivo estudar as propriedades eletroquímicas dos filmes finos de V2O5 e V2O5:ZnO. A obtenção dos filmes será realizada segundo o método de condensação dos peroxovanadatos. Através do processo de deposição dos filmes via Dip-coating e após tratamento térmico a 120oC, serão analisadas as mudanças no comportamento eletroquímico do material bem como a interferência do elemento dopante nestas propriedades, através de analises de voltametria cíclica, Cronocoulometria e Cronocoulometria. Analises de Difração de raios-X, Microscopia de Força Atômica serão utilizadas para obtenção das características estruturais e superficiais do filme bem como determinação de sua composição quantitativa/qualitativamente e formação de fases no material. Através dos resultados obtidos a respeito do comportamento eletroquímico observado no material, foi possível observar mudanças consideráveis geradas pelo uso de ZnO como dopante no que tange a densidade de corrente e de carga. Ambas sofreram aumento considerável até o percentual de dopagem de 1,5%mol de ZnO, que foi o valor que exibiu as melhores características gerais. Também foi possível observar mudanças no comportamento difusional dos com a dopagem, sendo que para os para os Picos catódico 2 e anódico 2, o coeficiente de difusão D sofreu mudanças de grandeza que favorecem o uso de dopante. Também se verificou a estabilidade a sucessivos ciclos no filme, e, como demonstram as voltametrias para 300 ciclos, o filme contendo ZnO sofreu razoável melhora, conservando suas densidades de corrente com maior magnitude do que o filme sem presença de dopante. Foi possível observar com a técnica de Difração de Raios-X o efeito do ZnO na microestrutura, e através dela, foi possível observar que a matriz manteve sua estrutura lamelar, mas com a diminuição do padrão de difração (001). Também foram observadas mudanças nas distancias interplanares e tamanho médio de cristalito. Com a técnica Espectofotometria, foi estudado a variação na coloração do filme e seu potencial de modulação ótica com/sem potencial aplicado. O mesmo exibiu resultados satisfatório reduzindo o percentual de transmitância de 77% para 52% com o filme polarizado, sendo o filme com dopante, o que obteve este resultado. Por fim, através da Microscopia de Força Atômica foi estudado as mudanças superficiais geradas no filme. O filme com 1,5%mol de ZnO apresentou maior rugosidade dentre as amostras, o que evidencia um aumento na superficial do filme o que possibilita maior área de contato para trocas iônicas entre o filme e o eletrólito, o que por fim, também justifica a melhora no comportamento eletroquímico do material.The present work aims to study the electrochemical properties of the thin films of V2O5 and V2O5: ZnO. The films will be obtained according to the condensation method of peroxovanadates. By means of different immersion/elevation velocities during the deposition process of the films by Dip-coating and after thermal treatment at 120°C, it will be analyzed the changes in the electrochemical behavior of the material as well as the interference of the dopant element in these properties through cyclic voltammetry, Chronocoulometry and Chronocoulometry. Scanning Electron Microscopy, X-ray Diffraction, Atomic Force Microscopy and Profileometry analyzes will be used to obtain the surface characteristics of the film as well as determination of its composition quantitatively / qualitatively and formation of phases in the material. Through the results obtained regarding the electrochemical behavior observed in the material it is expected to observe an improvement in the electrochemical properties of V2O5, leading to a positive economic impact, since the methodology is based on the viability of the process as a wholeCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESporUniversidade Federal de PelotasPrograma de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de MateriaisUFPelBrasilCentro de Desenvolvimento TecnológicoCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICACiência e engenharia de materiaisPentóxido de vanádioÓxido de zincoEletrocromismoVanadiun pentoxideZinc oxideElectrochromismPropriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicosOptoeletrochemical properties of v2o5 and v2o5:zno thin films for electrochromic devices.info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesishttp://lattes.cnpq.br/3179046877523648http://lattes.cnpq.br/9101375491904726Avellaneda, César Antonio OropesaPeres, Leandro Lemos deinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFPel - Guaiacainstname:Universidade Federal de Pelotas (UFPEL)instacron:UFPELTEXTDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.txtDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.txtExtracted texttext/plain79534http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/6/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.txt3bffe3210d718b1ce7b4e5089cd20d1aMD56open accessTHUMBNAILDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.jpgDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1301http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/7/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.jpga8f0b945c540f58b1bc6e26fe931ae0fMD57open accessORIGINALDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdfDissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdfapplication/pdf1765587http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/1/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf93ac609bd2edd645891fb0f971915b7fMD51open accessCC-LICENSElicense_urllicense_urltext/plain; charset=utf-849http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/2/license_url924993ce0b3ba389f79f32a1b2735415MD52open accesslicense_textlicense_texttext/html; charset=utf-80http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/3/license_textd41d8cd98f00b204e9800998ecf8427eMD53open accesslicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-80http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/4/license_rdfd41d8cd98f00b204e9800998ecf8427eMD54open accessLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81866http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/5/license.txt43cd690d6a359e86c1fe3d5b7cba0c9bMD55open accessprefix/82772023-07-13 07:21:48.569open accessoai:guaiaca.ufpel.edu.br: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ório InstitucionalPUBhttp://repositorio.ufpel.edu.br/oai/requestrippel@ufpel.edu.br || repositorio@ufpel.edu.br || aline.batista@ufpel.edu.bropendoar:2023-07-13T10:21:48Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca - Universidade Federal de Pelotas (UFPEL)false |
| dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| dc.title.alternative.pt_BR.fl_str_mv |
Optoeletrochemical properties of v2o5 and v2o5:zno thin films for electrochromic devices. |
| title |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| spellingShingle |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos Peres, Leandro Lemos de CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA Ciência e engenharia de materiais Pentóxido de vanádio Óxido de zinco Eletrocromismo Vanadiun pentoxide Zinc oxide Electrochromism |
| title_short |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| title_full |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| title_fullStr |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| title_full_unstemmed |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| title_sort |
Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos |
| author |
Peres, Leandro Lemos de |
| author_facet |
Peres, Leandro Lemos de |
| author_role |
author |
| dc.contributor.authorLattes.pt_BR.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/3179046877523648 |
| dc.contributor.advisorLattes.pt_BR.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/9101375491904726 |
| dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Avellaneda, César Antonio Oropesa |
| dc.contributor.author.fl_str_mv |
Peres, Leandro Lemos de |
| contributor_str_mv |
Avellaneda, César Antonio Oropesa |
| dc.subject.cnpq.fl_str_mv |
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA |
| topic |
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA Ciência e engenharia de materiais Pentóxido de vanádio Óxido de zinco Eletrocromismo Vanadiun pentoxide Zinc oxide Electrochromism |
| dc.subject.por.fl_str_mv |
Ciência e engenharia de materiais Pentóxido de vanádio Óxido de zinco Eletrocromismo Vanadiun pentoxide Zinc oxide Electrochromism |
| description |
O presente trabalho tem por objetivo estudar as propriedades eletroquímicas dos filmes finos de V2O5 e V2O5:ZnO. A obtenção dos filmes será realizada segundo o método de condensação dos peroxovanadatos. Através do processo de deposição dos filmes via Dip-coating e após tratamento térmico a 120oC, serão analisadas as mudanças no comportamento eletroquímico do material bem como a interferência do elemento dopante nestas propriedades, através de analises de voltametria cíclica, Cronocoulometria e Cronocoulometria. Analises de Difração de raios-X, Microscopia de Força Atômica serão utilizadas para obtenção das características estruturais e superficiais do filme bem como determinação de sua composição quantitativa/qualitativamente e formação de fases no material. Através dos resultados obtidos a respeito do comportamento eletroquímico observado no material, foi possível observar mudanças consideráveis geradas pelo uso de ZnO como dopante no que tange a densidade de corrente e de carga. Ambas sofreram aumento considerável até o percentual de dopagem de 1,5%mol de ZnO, que foi o valor que exibiu as melhores características gerais. Também foi possível observar mudanças no comportamento difusional dos com a dopagem, sendo que para os para os Picos catódico 2 e anódico 2, o coeficiente de difusão D sofreu mudanças de grandeza que favorecem o uso de dopante. Também se verificou a estabilidade a sucessivos ciclos no filme, e, como demonstram as voltametrias para 300 ciclos, o filme contendo ZnO sofreu razoável melhora, conservando suas densidades de corrente com maior magnitude do que o filme sem presença de dopante. Foi possível observar com a técnica de Difração de Raios-X o efeito do ZnO na microestrutura, e através dela, foi possível observar que a matriz manteve sua estrutura lamelar, mas com a diminuição do padrão de difração (001). Também foram observadas mudanças nas distancias interplanares e tamanho médio de cristalito. Com a técnica Espectofotometria, foi estudado a variação na coloração do filme e seu potencial de modulação ótica com/sem potencial aplicado. O mesmo exibiu resultados satisfatório reduzindo o percentual de transmitância de 77% para 52% com o filme polarizado, sendo o filme com dopante, o que obteve este resultado. Por fim, através da Microscopia de Força Atômica foi estudado as mudanças superficiais geradas no filme. O filme com 1,5%mol de ZnO apresentou maior rugosidade dentre as amostras, o que evidencia um aumento na superficial do filme o que possibilita maior área de contato para trocas iônicas entre o filme e o eletrólito, o que por fim, também justifica a melhora no comportamento eletroquímico do material. |
| publishDate |
2020 |
| dc.date.issued.fl_str_mv |
2020-02-27 |
| dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2022-04-05T19:29:28Z |
| dc.date.available.fl_str_mv |
2022-04-05T19:29:28Z |
| dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| format |
masterThesis |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.citation.fl_str_mv |
PERES, Leandro Lemos de. Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos. 2020, 50f. Dissertação de Mestrado, Programa de Pós-raduação em Ciência e Engenharia de Materiais, Centro de Desenvolvimento Tecnológico, Universidade Federal de Pelotas, 2018. |
| dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8277 |
| identifier_str_mv |
PERES, Leandro Lemos de. Propriedades ópto-eletroquímicas de filmes finos de v2o5 e v2o5:zno para utilização em dispositivos eletrocrômicos. 2020, 50f. Dissertação de Mestrado, Programa de Pós-raduação em Ciência e Engenharia de Materiais, Centro de Desenvolvimento Tecnológico, Universidade Federal de Pelotas, 2018. |
| url |
http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8277 |
| dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
| language |
por |
| dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de Pelotas |
| dc.publisher.program.fl_str_mv |
Programa de Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais |
| dc.publisher.initials.fl_str_mv |
UFPel |
| dc.publisher.country.fl_str_mv |
Brasil |
| dc.publisher.department.fl_str_mv |
Centro de Desenvolvimento Tecnológico |
| publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de Pelotas |
| dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca instname:Universidade Federal de Pelotas (UFPEL) instacron:UFPEL |
| instname_str |
Universidade Federal de Pelotas (UFPEL) |
| instacron_str |
UFPEL |
| institution |
UFPEL |
| reponame_str |
Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca |
| collection |
Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca |
| bitstream.url.fl_str_mv |
http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/6/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.txt http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/7/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf.jpg http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/1/Dissertacao_Leandro_lemos_de_peres.pdf http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/2/license_url http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/3/license_text http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/4/license_rdf http://guaiaca.ufpel.edu.br/xmlui/bitstream/prefix/8277/5/license.txt |
| bitstream.checksum.fl_str_mv |
3bffe3210d718b1ce7b4e5089cd20d1a a8f0b945c540f58b1bc6e26fe931ae0f 93ac609bd2edd645891fb0f971915b7f 924993ce0b3ba389f79f32a1b2735415 d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e d41d8cd98f00b204e9800998ecf8427e 43cd690d6a359e86c1fe3d5b7cba0c9b |
| bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 |
| repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UFPel - Guaiaca - Universidade Federal de Pelotas (UFPEL) |
| repository.mail.fl_str_mv |
rippel@ufpel.edu.br || repositorio@ufpel.edu.br || aline.batista@ufpel.edu.br |
| _version_ |
1862741552754851840 |