Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1995
Autor(a) principal: Cima, Carlos Alberto
Orientador(a): Souza, Joel Pereira de
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Capacitores
Circuitos integrados
Física da matéria condensada
Semicondutores
Implantação de íons
Litografia
Calibração
Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/189694
Resumo: Este trabalho trata essencialmente da fabricação e caracterização elétrica de capacitares MOS. Inicialmente, é feita uma descrição do modelo elétrico da estrutura MOS, abordando tanto um capacitar ideal, quanto as "não-idealidades" de uma estrutura real. Os defeitos no silício e o uso da implantação iônica na tecnologia MOS também são brevemente descritos. A seguir, os métodos de carcterização elétrica que utilizam capacitares MOS são revisados. Estes métodos permitem medir a carga fixa de interface (Qf), a carga móvel no óxido (Qm), a densidade de estados de interface (Dit) e o tempo de geração de portadores minoritários ('tg) a partir de curvas CxY g e Cxt. O desenvolvimento de um medidor de capacitância em alta freqüência (1OOkHz) é descrito no terceiro capítulo. Com os dados fornecidos por este instrumento, foi possível calcular os parâmetros mencionados, por meio de um programa de computador especialmente elaborado. No quarto capítulo, o processo de fabricação de capacitares MOS é delineado, sendo também mostrados os resultados experimentais obtidos com capacitares implantados com 12c+. Os efeitos das implantações de carbono sobre Qf e 'tg são discutidos. Ao final, algumas conclusões e perspectivas futuras são apresentadas.
id UFRGS-2_e33ce3dff95446e415fe1452aea46974
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/189694
network_acronym_str UFRGS-2
network_name_str Repositório Institucional da UFRGS
repository_id_str
spelling Cima, Carlos AlbertoSouza, Joel Pereira deFichtner, Paulo Fernando PapaleoJornada, Joao Alziro Herz daGrieneisen, Hans Peter HenrikBrito, Renato Machado de2019-03-28T04:10:08Z1995http://hdl.handle.net/10183/189694000128932Este trabalho trata essencialmente da fabricação e caracterização elétrica de capacitares MOS. Inicialmente, é feita uma descrição do modelo elétrico da estrutura MOS, abordando tanto um capacitar ideal, quanto as "não-idealidades" de uma estrutura real. Os defeitos no silício e o uso da implantação iônica na tecnologia MOS também são brevemente descritos. A seguir, os métodos de carcterização elétrica que utilizam capacitares MOS são revisados. Estes métodos permitem medir a carga fixa de interface (Qf), a carga móvel no óxido (Qm), a densidade de estados de interface (Dit) e o tempo de geração de portadores minoritários ('tg) a partir de curvas CxY g e Cxt. O desenvolvimento de um medidor de capacitância em alta freqüência (1OOkHz) é descrito no terceiro capítulo. Com os dados fornecidos por este instrumento, foi possível calcular os parâmetros mencionados, por meio de um programa de computador especialmente elaborado. No quarto capítulo, o processo de fabricação de capacitares MOS é delineado, sendo também mostrados os resultados experimentais obtidos com capacitares implantados com 12c+. Os efeitos das implantações de carbono sobre Qf e 'tg são discutidos. Ao final, algumas conclusões e perspectivas futuras são apresentadas.application/pdfporCapacitoresCircuitos integradosFísica da matéria condensadaSemicondutoresImplantação de íonsLitografiaCalibraçãoFabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulEscola de EngenhariaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Metalúrgica e dos MateriaisPorto Alegre, BR-RS1995mestradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT000128932.pdf.txt000128932.pdf.txtExtracted Texttext/plain142692http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/189694/2/000128932.pdf.txt13f7a3510e342bd72de9df9e4abcc408MD52ORIGINAL000128932.pdfTexto completoapplication/pdf9977748http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/189694/1/000128932.pdfaed2462c4b885be22f0926a42b83a1e2MD5110183/1896942022-09-03 04:58:48.173125oai:www.lume.ufrgs.br:10183/189694Repositório InstitucionalPUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.bropendoar:2022-09-03T07:58:48Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
title Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
spellingShingle Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
Cima, Carlos Alberto
Capacitores
Circuitos integrados
Física da matéria condensada
Semicondutores
Implantação de íons
Litografia
Calibração
title_short Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
title_full Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
title_fullStr Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
title_full_unstemmed Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
title_sort Fabricação e caracterização elétrica de capacitores MOS implantados com 12 c+
author Cima, Carlos Alberto
author_facet Cima, Carlos Alberto
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Cima, Carlos Alberto
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Souza, Joel Pereira de
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Jornada, Joao Alziro Herz da
Grieneisen, Hans Peter Henrik
Brito, Renato Machado de
contributor_str_mv Souza, Joel Pereira de
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Jornada, Joao Alziro Herz da
Grieneisen, Hans Peter Henrik
Brito, Renato Machado de
dc.subject.por.fl_str_mv Capacitores
Circuitos integrados
Física da matéria condensada
Semicondutores
Implantação de íons
Litografia
Calibração
topic Capacitores
Circuitos integrados
Física da matéria condensada
Semicondutores
Implantação de íons
Litografia
Calibração
description Este trabalho trata essencialmente da fabricação e caracterização elétrica de capacitares MOS. Inicialmente, é feita uma descrição do modelo elétrico da estrutura MOS, abordando tanto um capacitar ideal, quanto as "não-idealidades" de uma estrutura real. Os defeitos no silício e o uso da implantação iônica na tecnologia MOS também são brevemente descritos. A seguir, os métodos de carcterização elétrica que utilizam capacitares MOS são revisados. Estes métodos permitem medir a carga fixa de interface (Qf), a carga móvel no óxido (Qm), a densidade de estados de interface (Dit) e o tempo de geração de portadores minoritários ('tg) a partir de curvas CxY g e Cxt. O desenvolvimento de um medidor de capacitância em alta freqüência (1OOkHz) é descrito no terceiro capítulo. Com os dados fornecidos por este instrumento, foi possível calcular os parâmetros mencionados, por meio de um programa de computador especialmente elaborado. No quarto capítulo, o processo de fabricação de capacitares MOS é delineado, sendo também mostrados os resultados experimentais obtidos com capacitares implantados com 12c+. Os efeitos das implantações de carbono sobre Qf e 'tg são discutidos. Ao final, algumas conclusões e perspectivas futuras são apresentadas.
publishDate 1995
dc.date.issued.fl_str_mv 1995
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2019-03-28T04:10:08Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/189694
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 000128932
url http://hdl.handle.net/10183/189694
identifier_str_mv 000128932
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Repositório Institucional da UFRGS
collection Repositório Institucional da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/189694/2/000128932.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/189694/1/000128932.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 13f7a3510e342bd72de9df9e4abcc408
aed2462c4b885be22f0926a42b83a1e2
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv lume@ufrgs.br
_version_ 1864542614208905216

Registros relacionados