Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1993
Autor(a) principal: Loss, Itamar Jose Bassanezi
Orientador(a): Schneider, Marcio Cherem
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Link de acesso: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888
Resumo: Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice
id UFSC_56dc084b00ab63ae7bc0577c70ee3770
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsc.br:123456789/75888
network_acronym_str UFSC
network_name_str Repositório Institucional da UFSC
repository_id_str
spelling Universidade Federal de Santa CatarinaLoss, Itamar Jose BassaneziSchneider, Marcio CheremMontoro, Carlos Galup2012-10-16T05:22:57Z2012-10-16T05:22:57Z1993199391741http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendiceEste trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor").xiii, 51f.| ilporTransistoresTesesSemicondutores de oxido metalicoTesesTransistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitarioinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINAL91741.pdfapplication/pdf1577555https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/75888/1/91741.pdf73f6935850c9837522bbdc8d99791380MD51123456789/758882016-03-07 15:53:11.396oai:repositorio.ufsc.br:123456789/75888Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestsandra.sobrera@ufsc.bropendoar:23732016-03-07T18:53:11Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
title Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
spellingShingle Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
Loss, Itamar Jose Bassanezi
Transistores
Teses
Semicondutores de oxido metalico
Teses
title_short Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
title_full Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
title_fullStr Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
title_full_unstemmed Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
title_sort Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario
author Loss, Itamar Jose Bassanezi
author_facet Loss, Itamar Jose Bassanezi
author_role author
dc.contributor.pt_BR.fl_str_mv Universidade Federal de Santa Catarina
dc.contributor.author.fl_str_mv Loss, Itamar Jose Bassanezi
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Schneider, Marcio Cherem
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Montoro, Carlos Galup
contributor_str_mv Schneider, Marcio Cherem
Montoro, Carlos Galup
dc.subject.classification.pt_BR.fl_str_mv Transistores
Teses
Semicondutores de oxido metalico
Teses
topic Transistores
Teses
Semicondutores de oxido metalico
Teses
description Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice
publishDate 1993
dc.date.submitted.pt_BR.fl_str_mv 1993
dc.date.issued.fl_str_mv 1993
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2012-10-16T05:22:57Z
dc.date.available.fl_str_mv 2012-10-16T05:22:57Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888
dc.identifier.other.pt_BR.fl_str_mv 91741
identifier_str_mv 91741
url http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv xiii, 51f.| il
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSC
instname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron:UFSC
instname_str Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron_str UFSC
institution UFSC
reponame_str Repositório Institucional da UFSC
collection Repositório Institucional da UFSC
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/75888/1/91741.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv 73f6935850c9837522bbdc8d99791380
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
repository.mail.fl_str_mv sandra.sobrera@ufsc.br
_version_ 1851759236924571648

Registros relacionados