Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2017
Autor(a) principal: Souza, Paloma Boeck
Orientador(a): Pasa, André Avelino
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Link de acesso: https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/186680
Resumo: Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas, Programa de Pós-Graduação em Física, Florianópolis, 2017.
id UFSC_a100f26fdc9730d96351af0e6f12fc6e
oai_identifier_str oai:repositorio.ufsc.br:123456789/186680
network_acronym_str UFSC
network_name_str Repositório Institucional da UFSC
repository_id_str
spelling Universidade Federal de Santa CatarinaSouza, Paloma BoeckPasa, André AvelinoTumelero, Milton Andre2018-06-03T04:04:21Z2018-06-03T04:04:21Z2017350871https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/186680Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas, Programa de Pós-Graduação em Física, Florianópolis, 2017.Seleneto de bismuto (Bi2Se3) é um semicondutor que apresenta duas fases cristalinas distintas, com valor distinto de gap de energia e propriedades óticas, termoelétricas e topológicas de grande interesse. Neste trabalho, filmes foram crescidos através da técnica de eletrodeposição sobre substrato de silício (100). O estudo foi dividido em duas etapas, uma tratava da estrutura e morfologia dos filmes depositados e a outra da dopagem dos filmes. Na primeira etapa é visto que fazendo uso de um conjunto adequado de parâmetros de deposição obtêm-se filmes de aspecto compacto, uniforme e pouco rugoso, altamente desejável para futuras aplicações em dispositivos. A caracterização estrutural dos filmes indica a presença majoritária da fase ortorrômbica com traços da fase romboédrica e fases amorfas. A completa recristalização para a fase romboédrica pode ser obtida utilizando tratamentos térmicos curtos e sem necessidade de altas temperaturas. Na segunda etapa é mostrado que em filmes de Bi2Se3 dopados com cobre, o cobre atua como átomo substituicional na rede. Para baixas concentrações de cobre os filmes mantém as mesmas características estruturais e morfológicas de filmes não dopados. Caracterizações elétricas mostraram que os filmes dopados com cobre tratados termicamente apresentam menor resistividade elétrica e maior mobilidade de portadores quando comparados com filmes não dopados. Medidas de fotocorrente mostram altos valores de fotorresposta e sugerem baixa presença de centros de aprisionamento de portadores para todos filmes depositados com e sem cobre.Abstract : Bismuth selenide (Bi2Se3) is a semiconductor presenting two distinct crystalline phases with distinct band gap and interesting optical, thermoelectric and topological properties. In this work, thin films were grown by electrodeposition onto silicon (100) substrate. The study was divided in two steps, one related to the structure and morphology of deposited films and other about the doping with Cu of the films. The first step shows that under an optimum set of deposition parameters very compact, uniform and smooth films can be obtained, highly desirable for future devices applications. Structural characterization of the samples indicates a majority of a metastable orthorhombic phase, with traces of rhombohedral and amorphous phases. A full recrystallization to the rhombohedral structure can be achieved by using short time and low temperature thermal treatments. In the second step it is shown that for Bi2Se3 films doped with copper, the copper incorporates as substitutional atom in the lattice. Films with low concentration of copper keep the same structural and morphological characteristics of non doped films. Electrical characterizations show that copper doped films with thermal treatment present lower electrical resitivity and higher charge carrier mobility when compared with non doped films. Photocurrent measurements show high photocurrent values and suggest a low influence of trapping centers for all deposited films with and without copper.86 p.| il., gráfs.porFísicaEletrodeposiçãoFilmes finosEletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALPFSC0328-T.pdfPFSC0328-T.pdfapplication/pdf7946885https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/186680/-1/PFSC0328-T.pdfed50e1cb0986f6bc14fa8291d907adcaMD5-1123456789/1866802018-06-03 01:04:21.454oai:repositorio.ufsc.br:123456789/186680Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestsandra.sobrera@ufsc.bropendoar:23732018-06-03T04:04:21Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
dc.title.none.fl_str_mv Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
title Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
spellingShingle Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
Souza, Paloma Boeck
Física
Eletrodeposição
Filmes finos
title_short Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
title_full Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
title_fullStr Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
title_full_unstemmed Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
title_sort Eletrodeposição de Bi2Se3: morfologia, estrutura e dopagem com cobre (Cu)
author Souza, Paloma Boeck
author_facet Souza, Paloma Boeck
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Universidade Federal de Santa Catarina
dc.contributor.author.fl_str_mv Souza, Paloma Boeck
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Pasa, André Avelino
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Tumelero, Milton Andre
contributor_str_mv Pasa, André Avelino
Tumelero, Milton Andre
dc.subject.classification.none.fl_str_mv Física
Eletrodeposição
Filmes finos
topic Física
Eletrodeposição
Filmes finos
description Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas, Programa de Pós-Graduação em Física, Florianópolis, 2017.
publishDate 2017
dc.date.issued.fl_str_mv 2017
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2018-06-03T04:04:21Z
dc.date.available.fl_str_mv 2018-06-03T04:04:21Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/186680
dc.identifier.other.none.fl_str_mv 350871
identifier_str_mv 350871
url https://repositorio.ufsc.br/handle/123456789/186680
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 86 p.| il., gráfs.
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFSC
instname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron:UFSC
instname_str Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
instacron_str UFSC
institution UFSC
reponame_str Repositório Institucional da UFSC
collection Repositório Institucional da UFSC
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.ufsc.br/bitstream/123456789/186680/-1/PFSC0328-T.pdf
bitstream.checksum.fl_str_mv ed50e1cb0986f6bc14fa8291d907adca
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
repository.mail.fl_str_mv sandra.sobrera@ufsc.br
_version_ 1851759158003499008

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