Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2007
Autor(a) principal: Diniz, Ginetom Souza
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Federal de Uberlândia
BR
Programa de Pós-graduação em Física
Ciências Exatas e da Terra
UFU
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://repositorio.ufu.br/handle/123456789/15680
Resumo: In this work we present a theoretical study of the spin-orbit coupling upon the electronic structure of quantum rings and dots. The contribution of Rashba, due to the structural inversion asymmetry, and the contribution of Dresselhaus, induced by the bulk inversion asymmetry, common in the III-V semiconductor group materials are included in the Hamiltonian H0, which describe a single-electron in presence of a magnetic field in the z-direction. The eigenstates of H0 are used in the calculation of the additional elements of the Hamiltonian H = H0 + HR + HD, that takes in to account both Rashba (HR) and Dresselhaus (HD) contribution in the spin-orbit coupling. The eigenvalues and eigenvectors of H are then calculated through a numerical diagonalization using a truncated base of eigenstates of H0. The electronic structure calculation were performed in quantum dots and rings of Indium Arsenate (InAs), which are of actual experimental interesting. These nanostructures (quantum rings), in general, have average radius (r0), around 30-140nm and height about d =2-5nm. The Rashba and Dresselhaus contribution induce coupling among states jn; m; ¾zi following the selection rule ¢m;m0 = §1 and are responsible by crossings and anticrossings in the electronic spectra, and also by spin state mixing for well defined magnetic field values, that can be manipulated by external parameters such the Rashba parameter, Dresselhaus, and ring geometry. Our results allow to determine speci fic regimes of magnetic field and external parameters to model in a convenient way the behavior of magneto-optical properties, decoherence process of spin states and electron g-factor, which are problems of actual interest in the semiconductor physics for spintronic device applications.
id UFU_603e985c8232eb50877631ca242c8dc4
oai_identifier_str oai:repositorio.ufu.br:123456789/15680
network_acronym_str UFU
network_name_str Repositório Institucional da UFU
repository_id_str
spelling Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutoresAnéis quânticosAcoplamento spin-órbitaEfeito rashbaEfeito dresselhausQuantum ringsSpin-orbit couplingRashba effectDresselhaus effectCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAIn this work we present a theoretical study of the spin-orbit coupling upon the electronic structure of quantum rings and dots. The contribution of Rashba, due to the structural inversion asymmetry, and the contribution of Dresselhaus, induced by the bulk inversion asymmetry, common in the III-V semiconductor group materials are included in the Hamiltonian H0, which describe a single-electron in presence of a magnetic field in the z-direction. The eigenstates of H0 are used in the calculation of the additional elements of the Hamiltonian H = H0 + HR + HD, that takes in to account both Rashba (HR) and Dresselhaus (HD) contribution in the spin-orbit coupling. The eigenvalues and eigenvectors of H are then calculated through a numerical diagonalization using a truncated base of eigenstates of H0. The electronic structure calculation were performed in quantum dots and rings of Indium Arsenate (InAs), which are of actual experimental interesting. These nanostructures (quantum rings), in general, have average radius (r0), around 30-140nm and height about d =2-5nm. The Rashba and Dresselhaus contribution induce coupling among states jn; m; ¾zi following the selection rule ¢m;m0 = §1 and are responsible by crossings and anticrossings in the electronic spectra, and also by spin state mixing for well defined magnetic field values, that can be manipulated by external parameters such the Rashba parameter, Dresselhaus, and ring geometry. Our results allow to determine speci fic regimes of magnetic field and external parameters to model in a convenient way the behavior of magneto-optical properties, decoherence process of spin states and electron g-factor, which are problems of actual interest in the semiconductor physics for spintronic device applications.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorMestre em FísicaNeste trabalho apresentamos o estudo do efeito do acoplamento spin-órbita na estrutura eletrônica de pontos e anéis quânticos semicondutores. As contribuições de Rashba, devido à assimetria da inversão estrutural e de Dresselhaus, causado pela assimetria da inversão cristalina, comum em alguns materiais semicondutores do grupo III-IV, são introduzidos na Hamiltoniana H0, que descreve um único elétron em presença de campo magn ético na direção z. Os autoestados de H0 são usados no cálculo dos elementos adicionais da nova Hamiltoniana H = H0 +HR +HD, que leva em conta ambas as contribuições de Rashba HR e Dresselhaus HD no acoplamento spin-órbita. Os autovalores e autovetores de H são calculados através de um esquema de diagonalização númerica usando uma base truncada de autoestados de H0. Os cálculos da estrutura eletrônica foram implementados em pontos e anéis quânticos de Arseneto de Índio (InAs), os quais são de atual interesse experimental. Estas nanoestruturas, em geral possuem raios médios (r0) em torno de 30-140nm e altura d =2-5nm. As contribuições de Rashba e Dresselhaus induzem acoplamentos entre estados jn; m; ¾zi seguindo a regra de seleção dada por ¢m;m0 = §1 e são responsáveis pelo o aparecimento de crossings e anticrossings no espectro eletrônico e misturas de estados de spin para campos magnéticos bem definidos, que podem ser manipulados através de parâmetros externos, tais como o parâmetro de Rashba, Dresselhaus e geometria do anel. Nossos resultados permitem estabelecer regimes de campos magnéticos e parâmetros de controle externo para modelar convenientemente o comportamento das propriedades magneto-ópticas, processos de decoerência de estados de spin e o fator-g do elétron, os quais são problemas de forte interesse na atual física de semicondutores para aplicação em dispositivos spintrônicos.Universidade Federal de UberlândiaBRPrograma de Pós-graduação em FísicaCiências Exatas e da TerraUFUDiniz Neto, Omar de Oliveirahttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4789477D8Milla, Augusto Miguel Alcaldehttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4700172J5Armond, Raigna Augusta da Silva Zadrahttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791761U7Marques, Gilmar Eugêniohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4727630E5Diniz, Ginetom Souza2016-06-22T18:43:14Z2008-06-242016-06-22T18:43:14Z2007-06-22info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfapplication/zipapplication/pdfapplication/octet-streamDINIZ, Ginetom Souza. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores. 2007. 19 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2007.https://repositorio.ufu.br/handle/123456789/15680porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFUinstname:Universidade Federal de Uberlândia (UFU)instacron:UFU2017-07-11T11:07:17Zoai:repositorio.ufu.br:123456789/15680Repositório InstitucionalONGhttp://repositorio.ufu.br/oai/requestdiinf@dirbi.ufu.bropendoar:2017-07-11T11:07:17Repositório Institucional da UFU - Universidade Federal de Uberlândia (UFU)false
dc.title.none.fl_str_mv Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
title Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
spellingShingle Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
Diniz, Ginetom Souza
Anéis quânticos
Acoplamento spin-órbita
Efeito rashba
Efeito dresselhaus
Quantum rings
Spin-orbit coupling
Rashba effect
Dresselhaus effect
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
title_short Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
title_full Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
title_fullStr Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
title_full_unstemmed Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
title_sort Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores
author Diniz, Ginetom Souza
author_facet Diniz, Ginetom Souza
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Diniz Neto, Omar de Oliveira
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4789477D8
Milla, Augusto Miguel Alcalde
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4700172J5
Armond, Raigna Augusta da Silva Zadra
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791761U7
Marques, Gilmar Eugênio
http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4727630E5
dc.contributor.author.fl_str_mv Diniz, Ginetom Souza
dc.subject.por.fl_str_mv Anéis quânticos
Acoplamento spin-órbita
Efeito rashba
Efeito dresselhaus
Quantum rings
Spin-orbit coupling
Rashba effect
Dresselhaus effect
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
topic Anéis quânticos
Acoplamento spin-órbita
Efeito rashba
Efeito dresselhaus
Quantum rings
Spin-orbit coupling
Rashba effect
Dresselhaus effect
CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
description In this work we present a theoretical study of the spin-orbit coupling upon the electronic structure of quantum rings and dots. The contribution of Rashba, due to the structural inversion asymmetry, and the contribution of Dresselhaus, induced by the bulk inversion asymmetry, common in the III-V semiconductor group materials are included in the Hamiltonian H0, which describe a single-electron in presence of a magnetic field in the z-direction. The eigenstates of H0 are used in the calculation of the additional elements of the Hamiltonian H = H0 + HR + HD, that takes in to account both Rashba (HR) and Dresselhaus (HD) contribution in the spin-orbit coupling. The eigenvalues and eigenvectors of H are then calculated through a numerical diagonalization using a truncated base of eigenstates of H0. The electronic structure calculation were performed in quantum dots and rings of Indium Arsenate (InAs), which are of actual experimental interesting. These nanostructures (quantum rings), in general, have average radius (r0), around 30-140nm and height about d =2-5nm. The Rashba and Dresselhaus contribution induce coupling among states jn; m; ¾zi following the selection rule ¢m;m0 = §1 and are responsible by crossings and anticrossings in the electronic spectra, and also by spin state mixing for well defined magnetic field values, that can be manipulated by external parameters such the Rashba parameter, Dresselhaus, and ring geometry. Our results allow to determine speci fic regimes of magnetic field and external parameters to model in a convenient way the behavior of magneto-optical properties, decoherence process of spin states and electron g-factor, which are problems of actual interest in the semiconductor physics for spintronic device applications.
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007-06-22
2008-06-24
2016-06-22T18:43:14Z
2016-06-22T18:43:14Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv DINIZ, Ginetom Souza. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores. 2007. 19 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2007.
https://repositorio.ufu.br/handle/123456789/15680
identifier_str_mv DINIZ, Ginetom Souza. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores. 2007. 19 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2007.
url https://repositorio.ufu.br/handle/123456789/15680
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/zip
application/pdf
application/octet-stream
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Uberlândia
BR
Programa de Pós-graduação em Física
Ciências Exatas e da Terra
UFU
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal de Uberlândia
BR
Programa de Pós-graduação em Física
Ciências Exatas e da Terra
UFU
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional da UFU
instname:Universidade Federal de Uberlândia (UFU)
instacron:UFU
instname_str Universidade Federal de Uberlândia (UFU)
instacron_str UFU
institution UFU
reponame_str Repositório Institucional da UFU
collection Repositório Institucional da UFU
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UFU - Universidade Federal de Uberlândia (UFU)
repository.mail.fl_str_mv diinf@dirbi.ufu.br
_version_ 1813711716541792256