Preparação e caracterização de filmes finos de CdS para aplicações fotovoltaicas
| Ano de defesa: | 1980 |
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Preparação e caracterização de filmes finos de CdS para aplicações fotovoltaicasFilmes finosOrientador: René BrenzikoferDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho é testada a produção de filmes finos de CdS por vaporização de uma solução aquosa contendo os íons Cd++ e S--, uma técnica recente e promissora, visando sua aplicação em fotodiodos em junções do tipo CdS/Cu2S. Paralelamente, para fins de comparação, foram crescidos monocristais e filmes finos evaporados de CdS. Os filmes de CdS produzidos por vaporização, tem coloração alaranjadas e a superfície apresenta uma camada de grãos de ordem demicron e sobre esta grãos maiores, da ordem de 100 mm. Os filmes são policristalinos com estrutura hexagonal e sem orientação preferencial, conforme determinado por difração de RX. Apresentam transição eletrônica direta com banda de energias proibidas de 2.37eV, e formam contato elétrico ôhmico com zinco. Os filmes de CuxS crescidos por troca iônica sobre o CdS, tem estrutura Djurlite, 1.96 > x > 1.86, coloração escura e formam contato ôhmico com ouro. A heterojunção formada por ambos apresenta conversão fotovoltaica, envelhecimento quando exposta ao ar e eficiência de conversão baixaAbstract: We have tested the production of CdS thin films by vaporization of an aqueous solution containing the ions Cd++ e S--, a recent and promising technique, aiming its utilization in photovoltaic converters by means of the junction CdS/Cu2S. In parallel we have grown single crystals and evaporated thin films of CdS. The films of CdS produced by vaporization are orange colored and the surface presents a layer of small grains of the order of microns and over it larger grains of the order of 100 m m. The films are polycrystalline, with hexagonal structure, and without any prefered orientation, as tested by X Ray diffraction. They present a direct band gap in 2.37eV and ohmic contact with Zn. The cuprous sulfide CuxS grown by ionic exchange on top of the CdS have the Djurlite structure 1.96 > x > 1.86, dark color and make ohmic contact with Au. The heterojunction formed by both present the photovoltaic conversion, aging when exposed to the air, and low conversion efficiencyMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Brenzikofer, René, 1945-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSouza, Paulo Garcia de19801980-07-23T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf68 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578868SOUZA, Paulo Garcia de. Preparação e caracterização de filmes finos de CdS para aplicações fotovoltaicas. 1980. 68 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578868. Acesso em: 27 fev. 2025.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/51872porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-03T10:56:41Zoai::51872Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-03T10:56:41Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false |
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