Validação de modelos matemáticos de sensores piezoresistivos baseados em filmes finos
| Ano de defesa: | 2014 |
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Validação de modelos matemáticos de sensores piezoresistivos baseados em filmes finosCiências Exatas e da TerraModelagem matemáticaEfeito piezoresistivoSilícioSensores90 f.Este trabalho mostra os estudos teóricos sobre a caracterização do efeito piezoresistivo em filmes finos semicondutores, em especial, o silício tipo P e tipo N. Usa-se modelos matemáticos e simulação computacional, a partir de dados experimentais, para validar e aperfeiçoar os modelos matemáticos existentes na literatura para elementos sensores piezoresistivos baseados em filmes finos semicondutores. Neste trabalho é modelado o comportamento eletromecânico e térmico de um piezoresistor feito de silício policristalino tipo P e os resultados são comparados com aqueles mostrados, classicamente pela literatura, para o silício.2014-05-28T11:33:52Z20142014-05-28T11:33:52Z2014-05-28info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://bibliodigital.unijui.edu.br/items/a09f46b7-951b-423b-a1fa-14ee0455a7deMoi, Albertoporreponame:Repositório Institucional da UNIJUIinstname:Universidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do Sul (UNIJUI)instacron:UNIJUIinfo:eu-repo/semantics/openAccess2025-04-30T18:27:09Zoai:bibliodigital.unijui.edu.br:123456789/2245Repositório InstitucionalPUBhttps://bibliodigital.unijui.edu.br:8443/oai/requestbiblio@unijui.edu.bropendoar:2025-04-30T18:27:09Repositório Institucional da UNIJUI - Universidade Regional do Noroeste do Estado do Rio Grande do Sul (UNIJUI)false |
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