Estudo da dinâmica da magnetização em filmes finos de dissulfeto de tungstênio

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2019
Autor(a) principal: Gonsalves, Ivan Nizer
Orientador(a): Cunha, Rafael Otoniel Ribeiro Rodrigues da, Basabe, Yunier Garcia
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Magnetismo
Tungstênio
Metais de transição
Link de acesso: http://dspace.unila.edu.br/123456789/5171
Resumo: Dissertação apresentada à Universidade Federal da Integração Latino-Americana, como parte das exigências do Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada, área de concentração em Física da Matéria Condensada, para a obtenção do título de Mestre. Orientador: Prof. Dr. Rafael Otoniel Ribeiro Rodrigues da Cunha e Co-Orientador Prof. Dr. Yunier Garcia Basabe
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spelling Gonsalves, Ivan NizerCunha, Rafael Otoniel Ribeiro Rodrigues daBasabe, Yunier Garcia2019-09-10T19:40:00Z2019-09-10T19:40:00Z2019-08-09GONSALVES, Ivan Nizer. Estudo da dinâmica da magnetização em filmes finos de dissulfeto de tungstênio. 2019. 70 p. Dissertação de Mestrado (Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada) - Universidade Federal da Integração Latino-Americana (Unila), Foz do Iguaçu, 2019http://dspace.unila.edu.br/123456789/5171Dissertação apresentada à Universidade Federal da Integração Latino-Americana, como parte das exigências do Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada, área de concentração em Física da Matéria Condensada, para a obtenção do título de Mestre. Orientador: Prof. Dr. Rafael Otoniel Ribeiro Rodrigues da Cunha e Co-Orientador Prof. Dr. Yunier Garcia BasabeIn this work we investigate the spin current to charge current conversion properties of the semiconductor WS 2 . Two-dimensional thin films composed of bilayer Pd (10nm) / NiFe (10nm) and trilayer of WS 2 / Pd (10nm) / NiFe (10nm) were investigated by means of the inverse spin Hall effect (ISHE) using spin pumping effect (SPE) and spin Seebeck effect (SSE) experiments in which a spin current generated in the ferromagnetic layer is injected into the adjacent layer. The WS 2 film was grown by the spin coating technique, while the Pd and NiFe layers were grown by magnetron sputtering. Structural characterizations have been done by Raman spectroscopy, X-ray powder diffraction (PXRD) and low-angle X-ray diffusion (LIXRD). By measuring the ISHE current of each sample and making a comparative, we were able to obtain a key spintronic parameter: the spin Hall angle θ SH for a WS 2 /Pd/NiFe, with the value of θ SH = 0,015. With this research, we show that the WS 2 film has a significant contribution to the spin current, proving to be a promising material for the spintronic application of semiconductors.Neste trabalho investiga-se as propriedades de conversão de corrente de spin em corrente de carga do semicondutor WS2. Filmes finos bidimensionais compostos por bicamadas de Pd(10 nm) / NiFe(10 nm) e tricamadas de WS2 / Pd(10 nm) / NiFe(10 nm) foram investigados por meio do efeito Hall de spin inverso (ISHE) usando efeito de bombeamento de spin (spin pumping) (SPE) e efeito Seebeck de spin (SSE), nos quais uma corrente de spin gerada na camada ferromagnética é injetada na(s) camada(s) adjacente(s). O filme de WS2 foi crescido pela técnica de spin coating, enquanto que as camadas de Pd e NiFe foram fabricadas por magnetron sputtering. Caracterizações estruturais foram realizadas pelas técnicas de espectroscopia Raman, difração de raios-X para amostras na forma de pó (PXRD) e difração de raios-X em baixo ângulo (LIXRD). Medindo a corrente ISHE de cada amostra e fazendo um comparativo, consegue-se obter um parâmetro-chave para a spintrônica: o ângulo Hall de spin () para a tricamada WS2/Pd/NiFe, com o valor de = 0,015. Com esta investigação, mostra-se que o filme de WS2 tem contribuição significativa para corrente de spin, demonstrando ser um material promissor para aplicação em spintrônica de semicondutores.Submitted by ivan nizer gonsalves (fgng2009@gmail.com) on 2019-09-10T19:40:00Z No. of bitstreams: 1 V17 FINAL REPOSTIORIO UNILA 10 09 19 16H28.pdf: 2305928 bytes, checksum: 52c34bf7a25155f9479c1ac6e2fb1a45 (MD5)Made available in DSpace on 2019-09-10T19:40:00Z (GMT). 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