Avaliação da técnica de evaporação resistiva para a deposição de filmes finos de GaAs e compostos de GaAs com óxidos e cloretos de Er ou Yb

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2008
Autor(a) principal: Corrêa, Patrícia [UNESP]
Orientador(a): Scalvi, Luiz Vicente de Andrade [UNESP]
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Palavras-chave em Inglês:
Link de acesso: http://hdl.handle.net/11449/88498
Resumo: Neste trabalho é feita a deposição de filmes finos pela técnica de Evaporação Resistiva a partir de pós de Arseneto de Gálio (GaAs) e compostos de GaAs com Óxidos e Cloretos de Érbio (Er) ou Itérbio (Yb). Trata-se de um método relativamente simples de deposição, no qual os compostos são evaporados conjuntamente. O objetivo é observar a eficiência desse método para a produção desses filmes finos, a partir de compostos que possuam diferentes características, tais como consideráveis diferenças de temperaturas de evaporação. Depositamos filmes em diferentes condições e estequiometrias e analisamos as propriedades estruturais pela técnica de difração de raios-X. A composição qualitativa das amostras foi obtida por energia dispersiva de raios-X. As propriedades ópticas foram analisadas através de medidas de transmitância óptica dentro da faixa do visível ao infravermelho médio. Realizamos também a caracterização elétrica através de medidas de resistência em função da temperatura em filmes de GaAs e composto de GaAs com 'ErCl IND 3'. Apresentamos no apêndice uma proposta de investigação das propriedades de transporte elétrico de uma dessas amostras, envolvendo um modelo para cálculo da condutividade. De imediato, a contribuição deste trabalho é para a compreensão dos fenômenos físicos que acontecem durante o processo de crescimento, e a investigação parâmetros de deposição que viabilizem o emprego da técnica para os diferentes materiais evaporados.
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O objetivo é observar a eficiência desse método para a produção desses filmes finos, a partir de compostos que possuam diferentes características, tais como consideráveis diferenças de temperaturas de evaporação. Depositamos filmes em diferentes condições e estequiometrias e analisamos as propriedades estruturais pela técnica de difração de raios-X. A composição qualitativa das amostras foi obtida por energia dispersiva de raios-X. As propriedades ópticas foram analisadas através de medidas de transmitância óptica dentro da faixa do visível ao infravermelho médio. Realizamos também a caracterização elétrica através de medidas de resistência em função da temperatura em filmes de GaAs e composto de GaAs com 'ErCl IND 3'. Apresentamos no apêndice uma proposta de investigação das propriedades de transporte elétrico de uma dessas amostras, envolvendo um modelo para cálculo da condutividade. De imediato, a contribuição deste trabalho é para a compreensão dos fenômenos físicos que acontecem durante o processo de crescimento, e a investigação parâmetros de deposição que viabilizem o emprego da técnica para os diferentes materiais evaporados.In this work, thin film deposition is carried out, using the resistive evaporation technique, from powders of gallium arsenide (GaAs) and erbium (Er) or ytterbium (Yb) oxides and chlorides. It is a relatively simple deposition technique, where the compounds are simultaneously evaporated. The goal is to observe the efficiency of this growth method for the production of thin films, from compounds with distinct characteristics, such as high difference between evaporation temperatures. Films have been deposited under different conditions and stoichiometry, and their structural properties were analyzed by X-ray diffraction technique. Sample composition was obtained by X-ray dispersive energy. Optical properties were analyzed through optical transmittance from visible to medium infrared. Electrical characterization was also carried out, using measurements of resistance as function of temperature for GaAs and GaAs with 'ErCl IND 3' compounds. An appendix is also presented, containing a proposal of electrical transport investigation, involving conductivity calculation. The contribution of this work is towards the understanding of physical phenomena that takes place during the growth process, and the investigation of deposition parameters with make reliable the utilization of this technique for the different evaporated materials.97 f. : il.porUniversidade Estadual Paulista (Unesp)Alephreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESPFilmes finosSemicondutoresEvaporação resistivaArseneto de gálioResistive evaporationThin filmsGallium arsenideSemiconductorAvaliação da técnica de evaporação resistiva para a deposição de filmes finos de GaAs e compostos de GaAs com óxidos e cloretos de Er ou Ybinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessCiência e Tecnologia de Materiais - FCCiência e tecnologia de materiaisUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Ciências, Bauru77307194764512320000-0001-5762-6424Publicationaef1f5df-a00f-45f4-b366-6926b097829bvirtual::69136-1aef1f5df-a00f-45f4-b366-6926b097829bvirtual::69136-1ORIGINALcorrea_p_me_bauru.pdfapplication/pdf1146240https://repositorio.unesp.br/bitstreams/61d64794-e01e-412c-8a03-8586085ce45d/downloada8f40673e6edfa69035f9c03a71c97daMD51trueAnonymousREADTEXTcorrea_p_me_bauru.pdf.txtWritten by FormatFilter org.dspace.app.mediafilter.TikaTextExtractionFilter on 2024-01-11T06:25:59Z (GMT).Extracted texttext/plain102964https://repositorio.unesp.br/bitstreams/87ba8550-b306-4f23-9230-bf6b95d3b296/download2b750c61de1e05e5e0986fe669693931MD54falseAnonymousREADTHUMBNAILcorrea_p_me_bauru.pdf.jpgWritten by FormatFilter org.dspace.app.mediafilter.ImageMagickPdfThumbnailFilter on 2016-11-13T06:32:35Z (GMT).IM Thumbnailimage/jpeg4327https://repositorio.unesp.br/bitstreams/d51a8f53-a9f6-4814-ae28-deea361a412d/download37e2fa4fed6a1c961791c124cfc37965MD53falseAnonymousREAD11449/884982026-03-11T19:36:56.174103Zopen.accessoai:repositorio.unesp.br:11449/88498https://repositorio.unesp.brRepositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestrepositoriounesp@unesp.bropendoar:29462026-03-11T19:36:56Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false
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