Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering
Ano de defesa: | 2023 |
---|---|
Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
|
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
País: |
Não Informado pela instituição
|
Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://hdl.handle.net/11449/250610 |
Resumo: | Óxidos condutores transparentes (TCOs) são materiais que apresentam importantes propriedades para serem funcionalizados como eletrodos para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. O óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) é um TCO, com característica de semicondutor, amplamente estudado, pois apresenta boas propriedades ópticas e elétricas, além de dispor de baixo custo de produção quando comparado a outros. O AZO, quando disposto na forma de filmes finos, apresenta tais propriedades potencializadas de acordo com a dopagem de Al na rede do ZnO, tornando-o um excelente candidato a ser utilizado em dispositivos de conversão de energia. Neste trabalho, foram preparados alvos cerâmicos de ZnO dopados com 1,5, 2,5 e 3,5 em % de mol de Al, por reação de estado sólido, sinterizados a 1250C. Os alvos foram caracterizados por difração e fluorescência de raios X para acompanhamento da fase AZO formada e da composição química e, também, quanto à densidade usando o método de Arquimedes. Os resultados mostraram alvos monofásicos para valores de até 1,5% do dopante Al na rede ZnO. A partir de 2,5% de Al, houve a formação de uma fase secundária de ZnAl2O4. A densidade dos alvos variou de 84 a 95% da densidade teórica, de acordo com o percentual do dopante. Os alvos foram utilizados para deposição de filmes finos por sputtering, com tempos variando em 20, 40 e 60 min, que foram caracterizados quanto ao comportamento óptico e elétrico em função da dopagem com Al e do tempo de deposição. Os filmes finos depositados a partir dos alvos produzidos possuem cristalinidade com orientação preferencial da fase AZO, transparência óptica acima de 60% da região do visível e resistividade elétrica de ordem 102− 10−1Ωcm. |
id |
UNSP_5f8469023a6f8bfa37095d2d5fe5591d |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.unesp.br:11449/250610 |
network_acronym_str |
UNSP |
network_name_str |
Repositório Institucional da UNESP |
repository_id_str |
|
spelling |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputteringAluminum-doped zinc oxide: preparation of targets through solid-state reaction for thin film deposition via sputteringAZOAlvosFilmes finosSputteringTargetsThin filmsÓxidos condutores transparentes (TCOs) são materiais que apresentam importantes propriedades para serem funcionalizados como eletrodos para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. O óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) é um TCO, com característica de semicondutor, amplamente estudado, pois apresenta boas propriedades ópticas e elétricas, além de dispor de baixo custo de produção quando comparado a outros. O AZO, quando disposto na forma de filmes finos, apresenta tais propriedades potencializadas de acordo com a dopagem de Al na rede do ZnO, tornando-o um excelente candidato a ser utilizado em dispositivos de conversão de energia. Neste trabalho, foram preparados alvos cerâmicos de ZnO dopados com 1,5, 2,5 e 3,5 em % de mol de Al, por reação de estado sólido, sinterizados a 1250C. Os alvos foram caracterizados por difração e fluorescência de raios X para acompanhamento da fase AZO formada e da composição química e, também, quanto à densidade usando o método de Arquimedes. Os resultados mostraram alvos monofásicos para valores de até 1,5% do dopante Al na rede ZnO. A partir de 2,5% de Al, houve a formação de uma fase secundária de ZnAl2O4. A densidade dos alvos variou de 84 a 95% da densidade teórica, de acordo com o percentual do dopante. Os alvos foram utilizados para deposição de filmes finos por sputtering, com tempos variando em 20, 40 e 60 min, que foram caracterizados quanto ao comportamento óptico e elétrico em função da dopagem com Al e do tempo de deposição. Os filmes finos depositados a partir dos alvos produzidos possuem cristalinidade com orientação preferencial da fase AZO, transparência óptica acima de 60% da região do visível e resistividade elétrica de ordem 102− 10−1Ωcm.Transparent conductive oxides (TCOs) are materials that have important properties to be functionalized as electrodes for applications in optoelectronic devices. Aluminum-doped zinc oxide (AZO) is a TCO, with semiconductor characteristics, widely studied, as it has good optical and electrical properties, in addition to having a low production cost, when compared to others. AZO, when disposed in the form of thin films, presents such potentiated properties, according to the Al doping in the ZnO network, making it an excellent candidate to be used in energy conversion devices. In this work, ZnO ceramic targets doped with 1.5, 2.5 and 3.5 mol% Al were prepared by solid state reaction, sintered at 1250C. The targets were characterized by X-ray diffraction and fluorescence to monitor the AZO phase formed and the chemical composition, and for density using the Archimedes method. The results showed single-phase targets for values of up to 1.5 mol% of the Al dopant in the ZnO network. From 2.5 mol% Al, there was the secondary phase of ZnAl2O4 formation. The target density ranged from 84 to 95% of the theoretical density, according to the dopant percentage. The targets were used for thin films deposition via sputtering, with times varying in 20, 40 and 60 min, which were characterized by optical and electrical properties, as a function of Al doping and deposition time. The thin films deposited from the produced targets have crystallinity with preferential orientation of the AZO phase, exhibit optical transparency above 60% in the visible region and electrical resistivity on the order of 102 − 10−1Ωcm.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)CAPES: 001Universidade Estadual Paulista (Unesp)Albas, Agda Eunice de Souza [UNESP]Universidade Estadual Paulista (Unesp)Ruiz, Camilla Martins2023-09-06T14:50:51Z2023-09-06T14:50:51Z2023-06-23info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11449/25061033004056083P7porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESP2023-10-21T06:12:00Zoai:repositorio.unesp.br:11449/250610Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462023-10-21T06:12Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false |
dc.title.none.fl_str_mv |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering Aluminum-doped zinc oxide: preparation of targets through solid-state reaction for thin film deposition via sputtering |
title |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
spellingShingle |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering Ruiz, Camilla Martins AZO Alvos Filmes finos Sputtering Targets Thin films |
title_short |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
title_full |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
title_fullStr |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
title_full_unstemmed |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
title_sort |
Óxido de zinco dopado com alumínio: preparação de alvos por reação do estado-sólido para deposição de filmes finos via sputtering |
author |
Ruiz, Camilla Martins |
author_facet |
Ruiz, Camilla Martins |
author_role |
author |
dc.contributor.none.fl_str_mv |
Albas, Agda Eunice de Souza [UNESP] Universidade Estadual Paulista (Unesp) |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Ruiz, Camilla Martins |
dc.subject.por.fl_str_mv |
AZO Alvos Filmes finos Sputtering Targets Thin films |
topic |
AZO Alvos Filmes finos Sputtering Targets Thin films |
description |
Óxidos condutores transparentes (TCOs) são materiais que apresentam importantes propriedades para serem funcionalizados como eletrodos para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. O óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) é um TCO, com característica de semicondutor, amplamente estudado, pois apresenta boas propriedades ópticas e elétricas, além de dispor de baixo custo de produção quando comparado a outros. O AZO, quando disposto na forma de filmes finos, apresenta tais propriedades potencializadas de acordo com a dopagem de Al na rede do ZnO, tornando-o um excelente candidato a ser utilizado em dispositivos de conversão de energia. Neste trabalho, foram preparados alvos cerâmicos de ZnO dopados com 1,5, 2,5 e 3,5 em % de mol de Al, por reação de estado sólido, sinterizados a 1250C. Os alvos foram caracterizados por difração e fluorescência de raios X para acompanhamento da fase AZO formada e da composição química e, também, quanto à densidade usando o método de Arquimedes. Os resultados mostraram alvos monofásicos para valores de até 1,5% do dopante Al na rede ZnO. A partir de 2,5% de Al, houve a formação de uma fase secundária de ZnAl2O4. A densidade dos alvos variou de 84 a 95% da densidade teórica, de acordo com o percentual do dopante. Os alvos foram utilizados para deposição de filmes finos por sputtering, com tempos variando em 20, 40 e 60 min, que foram caracterizados quanto ao comportamento óptico e elétrico em função da dopagem com Al e do tempo de deposição. Os filmes finos depositados a partir dos alvos produzidos possuem cristalinidade com orientação preferencial da fase AZO, transparência óptica acima de 60% da região do visível e resistividade elétrica de ordem 102− 10−1Ωcm. |
publishDate |
2023 |
dc.date.none.fl_str_mv |
2023-09-06T14:50:51Z 2023-09-06T14:50:51Z 2023-06-23 |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/11449/250610 33004056083P7 |
url |
http://hdl.handle.net/11449/250610 |
identifier_str_mv |
33004056083P7 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Estadual Paulista (Unesp) |
publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Estadual Paulista (Unesp) |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UNESP instname:Universidade Estadual Paulista (UNESP) instacron:UNESP |
instname_str |
Universidade Estadual Paulista (UNESP) |
instacron_str |
UNESP |
institution |
UNESP |
reponame_str |
Repositório Institucional da UNESP |
collection |
Repositório Institucional da UNESP |
repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP) |
repository.mail.fl_str_mv |
|
_version_ |
1792965444159668224 |