Um estudo da influência de defeitos sobre a relaxação dielétrica e outras propriedades físicas relacionadas de filmes finos de BiFeO3

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2020
Autor(a) principal: Reis, Saulo Portes dos [UNESP]
Orientador(a): Araújo, Eudes Borges de [UNESP]
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Multiferroicos
Filmes finos
Propriedades dielétricas
Defeitos
Palavras-chave em Inglês:
Espectroscopia de impedância
Multiferroics
Thin films
Dielectric properties
Defects
Impedance spectroscopy
Link de acesso: http://hdl.handle.net/11449/191924
Resumo: Este trabalho relata o impacto de defeitos nas propriedades elétricas de filmes finos de \BF, com diferentes defeitos introduzidos durante a síntese. As fases secundárias e as vacâncias de oxigênio foram os defeitos mais aparentes em comparação aos filmes monofásicos. As propriedades estruturais foram analisadas por difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia de piezo-resposta (PFM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). As propriedades elétricas dos filmes foram estudadas em termos de relaxação dielétrica, condutividade elétrica e condutividade local através de grãos e contornos de grãos. Para fazer isso, foi feita uma descrição completa do formalismo da impedância. No processo termicamente ativado, as energias de ativação da relaxação e condução dielétrica foram muito semelhantes para os filmes com fases secundárias. Por outro lado, a energia de ativação da condução aumenta para o filme monofásico tratado em atmosfera de oxigênio. Essas energias de ativação foram atribuídas às primeira e segunda ionização de vacâncias de oxigênio. O controle de defeitos durante a síntese dos filmes mostrou-se útil para controlar a condutividade elétrica e outros parâmetros relacionados aos filmes finos de BiFeO3.
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spelling Reis, Saulo Portes dos [UNESP]Universidade Estadual Paulista (Unesp)Araújo, Eudes Borges de [UNESP]2020-03-20T13:27:39Z2020-03-20T13:27:39Z2020-01-31http://hdl.handle.net/11449/19192400092977433004099083P967259822284020540000-0003-3946-1771Este trabalho relata o impacto de defeitos nas propriedades elétricas de filmes finos de \BF, com diferentes defeitos introduzidos durante a síntese. As fases secundárias e as vacâncias de oxigênio foram os defeitos mais aparentes em comparação aos filmes monofásicos. As propriedades estruturais foram analisadas por difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia de piezo-resposta (PFM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). As propriedades elétricas dos filmes foram estudadas em termos de relaxação dielétrica, condutividade elétrica e condutividade local através de grãos e contornos de grãos. Para fazer isso, foi feita uma descrição completa do formalismo da impedância. No processo termicamente ativado, as energias de ativação da relaxação e condução dielétrica foram muito semelhantes para os filmes com fases secundárias. Por outro lado, a energia de ativação da condução aumenta para o filme monofásico tratado em atmosfera de oxigênio. Essas energias de ativação foram atribuídas às primeira e segunda ionização de vacâncias de oxigênio. O controle de defeitos durante a síntese dos filmes mostrou-se útil para controlar a condutividade elétrica e outros parâmetros relacionados aos filmes finos de BiFeO3.This work reports the impact of defects on the electrical properties of BiFeO3 thin films with different defects introduced during the synthesis. Secondary phases and oxygen vacancies were the most apparent defects compared to single-phase films. The structural properties were analyzed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, piezoresponse force microscopy (PFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The electrical properties of the films were studied in terms of dielectric relaxation, electrical conductivity and local conductivity through grain and grain boundaries. To do this, a thorough description of the impedance formalism was made. From thermally activated process, the activation energies of dielectric relaxation and conduction were very similar for films with secondary phases. On the other hand, the activation energy of conduction increases for single-phase film post annealed in oxygen atmosphere. These activation energies were attributed to the first and second ionization oxygen vacancies. The control of defects during the synthesis of the films was shown to be useful to control the electrical conductivity and other parameters related to the thin films of BiFeO3.porUniversidade Estadual Paulista (Unesp)MultiferroicosFilmes finosPropriedades dielétricasDefeitosEspectroscopia de impedânciaMultiferroicsThin filmsDielectric propertiesDefectsImpedance spectroscopyUm estudo da influência de defeitos sobre a relaxação dielétrica e outras propriedades físicas relacionadas de filmes finos de BiFeO3A study of the influence of defects on dielectric relaxation and other related physical properties of BiFeO3 thin filmsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESPCiência dos Materiais - FEISFísica da matéria condensadaMateriais ferroelétricosUniversidade Estadual Paulista (UNESP), Faculdade de Engenharia, Ilha SolteiraOnline6725982228402054(1)0000-0003-3946-1771(1)Banca públicaPublication85b724f4-c5d4-4984-9caf-8f0f0d076a19virtual::173775-185b724f4-c5d4-4984-9caf-8f0f0d076a19virtual::173775-1d27a8cd0-d372-4439-9639-4dd70a20c723virtual::196291-1d27a8cd0-d372-4439-9639-4dd70a20c723virtual::196291-1THUMBNAILreis_sp_dr_ilha.pdf.jpgWritten by FormatFilter org.dspace.app.mediafilter.PDFBoxThumbnail on 2023-12-10T06:19:20Z (GMT).Generated Thumbnailimage/jpeg3346https://repositorio.unesp.br/bitstreams/b5ffbd6d-9000-4674-94bc-14d5a1e4b540/download7b75e6aaca5d124687f67be55759d776MD55falseAnonymousREADORIGINALreis_sp_dr_ilha.pdfreis_sp_dr_ilha.pdfapplication/pdf39809984https://repositorio.unesp.br/bitstreams/821556b9-20b6-4792-9754-4239fc1647c3/downloade88521c8a7b4db40c8da4212ae2672a4MD53trueAnonymousREADLICENSElicense.txtWritten by org.dspace.content.LicenseUtilstext/plain; 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