Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons
Ano de defesa: | 2003 |
---|---|
Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
|
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
País: |
Não Informado pela instituição
|
Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://hdl.handle.net/10183/3784 |
Resumo: | A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de prótons foram necessárias para se tornar semi-isolantes camadas de GaAs dopadas com C ou com Mg possuindo a mesma concentração de pico de lacunas livres. A estabilidade térmica da isolação nestas amostras foi medida. Diferenças no comportamento de recozimento destas apontaram a formação, provavelmente durante a referida etapa térmica, de uma estrutura diferente de defeitos em cada caso. Medidas de DLTS foram realizadas em amostras de GaAs tipo-n e tipo-p implantadas com prótons de 600 keV. A estrutura de picos observada apresentou, além de boa parte dos defeitos introduzidos para o caso de irradiação com elétrons, defeitos mais complexos. Um novo nível, com energia superior em ~0,64 eV ao valor correspondente ao topo da banda de valência, foi identificado nos espectros medidos em material tipo-p. A variação da concentração dos centros de captura introduzidos com diferentes etapas de recozimento foi estudada e comparada com o comportamento previamente observado para a resistência de folha em camadas de GaAs implantadas com prótons. Simulações foram feitas, indicando que a interpretação adotada anteriormente, associando o processo de isolação diretamente à formação de defeitos relacionados a anti-sítios, pode não estar completa. |
id |
URGS_1d32e671f8ab56430d98b4029e8cd06f |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:www.lume.ufrgs.br:10183/3784 |
network_acronym_str |
URGS |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
repository_id_str |
|
spelling |
Coelho, Artur Vicente PfeiferBoudinov, Henri Ivanov2007-06-06T17:30:37Z2003http://hdl.handle.net/10183/3784000404306A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de prótons foram necessárias para se tornar semi-isolantes camadas de GaAs dopadas com C ou com Mg possuindo a mesma concentração de pico de lacunas livres. A estabilidade térmica da isolação nestas amostras foi medida. Diferenças no comportamento de recozimento destas apontaram a formação, provavelmente durante a referida etapa térmica, de uma estrutura diferente de defeitos em cada caso. Medidas de DLTS foram realizadas em amostras de GaAs tipo-n e tipo-p implantadas com prótons de 600 keV. A estrutura de picos observada apresentou, além de boa parte dos defeitos introduzidos para o caso de irradiação com elétrons, defeitos mais complexos. Um novo nível, com energia superior em ~0,64 eV ao valor correspondente ao topo da banda de valência, foi identificado nos espectros medidos em material tipo-p. A variação da concentração dos centros de captura introduzidos com diferentes etapas de recozimento foi estudada e comparada com o comportamento previamente observado para a resistência de folha em camadas de GaAs implantadas com prótons. Simulações foram feitas, indicando que a interpretação adotada anteriormente, associando o processo de isolação diretamente à formação de defeitos relacionados a anti-sítios, pode não estar completa.application/pdfporGálioArsênioDefeitosImplantação de íonsDopagem de semicondutoresCarbonoMagnésioIsolantesRecozimentoDefeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótonsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaCurso de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2003mestradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL000404306.pdf000404306.pdfTexto completoapplication/pdf2754473http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/1/000404306.pdf5fbbcdbfe76bb32dbc3186f6c7c2744cMD51TEXT000404306.pdf.txt000404306.pdf.txtExtracted Texttext/plain289403http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/2/000404306.pdf.txt98bba903f44510d0db9deddc62e0babaMD52THUMBNAIL000404306.pdf.jpg000404306.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg1371http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/3/000404306.pdf.jpgaf7141ad6cbcc73352eb5b2856e37d03MD5310183/37842022-02-22 05:04:03.2951oai:www.lume.ufrgs.br:10183/3784Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532022-02-22T08:04:03Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
title |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
spellingShingle |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons Coelho, Artur Vicente Pfeifer Gálio Arsênio Defeitos Implantação de íons Dopagem de semicondutores Carbono Magnésio Isolantes Recozimento |
title_short |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
title_full |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
title_fullStr |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
title_full_unstemmed |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
title_sort |
Defeitos responsáveis pela isolação de GaAs irradiado com prótons |
author |
Coelho, Artur Vicente Pfeifer |
author_facet |
Coelho, Artur Vicente Pfeifer |
author_role |
author |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Coelho, Artur Vicente Pfeifer |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Boudinov, Henri Ivanov |
contributor_str_mv |
Boudinov, Henri Ivanov |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Gálio Arsênio Defeitos Implantação de íons Dopagem de semicondutores Carbono Magnésio Isolantes Recozimento |
topic |
Gálio Arsênio Defeitos Implantação de íons Dopagem de semicondutores Carbono Magnésio Isolantes Recozimento |
description |
A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de prótons foram necessárias para se tornar semi-isolantes camadas de GaAs dopadas com C ou com Mg possuindo a mesma concentração de pico de lacunas livres. A estabilidade térmica da isolação nestas amostras foi medida. Diferenças no comportamento de recozimento destas apontaram a formação, provavelmente durante a referida etapa térmica, de uma estrutura diferente de defeitos em cada caso. Medidas de DLTS foram realizadas em amostras de GaAs tipo-n e tipo-p implantadas com prótons de 600 keV. A estrutura de picos observada apresentou, além de boa parte dos defeitos introduzidos para o caso de irradiação com elétrons, defeitos mais complexos. Um novo nível, com energia superior em ~0,64 eV ao valor correspondente ao topo da banda de valência, foi identificado nos espectros medidos em material tipo-p. A variação da concentração dos centros de captura introduzidos com diferentes etapas de recozimento foi estudada e comparada com o comportamento previamente observado para a resistência de folha em camadas de GaAs implantadas com prótons. Simulações foram feitas, indicando que a interpretação adotada anteriormente, associando o processo de isolação diretamente à formação de defeitos relacionados a anti-sítios, pode não estar completa. |
publishDate |
2003 |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2003 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2007-06-06T17:30:37Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/10183/3784 |
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv |
000404306 |
url |
http://hdl.handle.net/10183/3784 |
identifier_str_mv |
000404306 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) instacron:UFRGS |
instname_str |
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
instacron_str |
UFRGS |
institution |
UFRGS |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/1/000404306.pdf http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/2/000404306.pdf.txt http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/3784/3/000404306.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
5fbbcdbfe76bb32dbc3186f6c7c2744c 98bba903f44510d0db9deddc62e0baba af7141ad6cbcc73352eb5b2856e37d03 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
repository.mail.fl_str_mv |
lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br |
_version_ |
1797064864932298752 |