Simulação elétrica do efeito de dose total em células de memória estática (SRAM)

• Ano de defesa: 2010
• Autor(a) principal: Paniz, Vitor
• Orientador(a): Wirth, Gilson Inacio
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Transistores; Circuitos eletrônicos; Simulação numérica
• Palavras-chave em Inglês: SRAM; CMOS; Dose effect; Total ionization dose; Read noise margin; Threshold voltage; Leakage current
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/27264

Nesta dissertação é apresentado o estudo da célula SRAM estática de 6 transistores, com tecnologia CMOS, sendo utilizada em ambiente exposto à radiação. Foi verificado, através de simulação com o Hspice (HSPICE, 2009; KIME, 1998) e com a análise de Monte Carlo, o seu comportamento com relação à dose de ionização total (Total Ionization Dose, TID), a qual altera a tensão de limiar (threshold voltage, Vth) e a corrente de fuga, não sendo utilizada nenhuma técnica de fabricação especial para tolerância à radiação. Na simulação foi observado o comportamento da célula com relação ao tempo de atraso de escrita, à margem de ruído de leitura e ao consumo de energia. As simulações incluem as tecnologias de 130nm e 350nm sendo, portanto, possível comparar os efeitos de radiação citados em ambas, para verificar qual é a mais naturalmente resistente a radiação, verificando se está coerente com resultados divulgados na literatura. Para simular o efeito de dose, altera-se a tensão de limiar (threshold voltage, Vth) com a análise de Monte Carlo e, para a corrente de fuga, adiciona-se uma fonte de corrente entre o dreno e fonte de cada transistor. Os valores de Vth e corrente de fuga foram obtidos nas referências (HAUGERUD, 2005) para a tecnologia 130nm e (LACOE, 1998) para a tecnologia 350 nm. As simulações mostram que o comportamento foi coerente com resultados já conhecidos, em que a tecnologia mais antiga (350nm) tem alterações mais significativas do que a tecnologia mais atual, em relação à TID.