Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2017
Autor(a) principal: Sulzbach, Milena Cervo
Orientador(a): Grande, Pedro Luis
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Não Informado pela instituição
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Dióxido de titânio
Retroespalhamento rutherford
Feixes de íons
Palavras-chave em Inglês:
Resistive memories
Conducting filaments
Diffusion mechanisms
TiO2
Ion beam analyses
Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/163763
Resumo: Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático dos mecanismos de difusão responsáveis pelo switching de resistência em memórias resistivas. Essas memórias possuem estrutura semelhante a de um capacitor, a qual sofre uma transição de resistência induzida pela aplicação de um campo elétrico. A transição é provocada pela formação de filamentos condutivos no interior da matriz semicondutora. Os filamentos podem ser constituídos por metal originado de um dos eletrodos (ECM) ou por regiões do óxido deficientes em oxigênio (VCM), geradas pela difusão de vacâncias de oxigênio. Dispositivos de TiO2 foram construídos e sua resposta elétrica foi adquirida através de medidas elétricas do tipo I-V para diferentes metais de eletrodo. Técnicas de análise por feixe de íons, como retroespalhamento Rutherford por micro-feixe e perfilometria com reação nuclear ressonante, foram usadas para detalhamento dos processos de difusão. Constatou-se uma dependência do comportamento elétrico em função do método de deposição da camada semicondutora, sua espessura e os parâmetros da medida de tensão. No caso do filamento ser composto por átomos de metal, espectros de micro-RBS foram adquiridos para identificar a sua estrutura no interior do óxido. Ainda, observaram-se bolhas na superfície do eletrodo superior dos dispositivos com difusão de vacâncias de oxigênio após o tratamento elétrico. Nesse mesmo contexto, foi medida a difusividade e energia de ativação da difusão de oxigênio em filmes finos de TiOy.
id URGS_9c9aa4cc3adc8e61e094a0373ad5fd09
oai_identifier_str oai:www.lume.ufrgs.br:10183/163763
network_acronym_str URGS
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
repository_id_str
spelling Sulzbach, Milena CervoGrande, Pedro LuisPereira, Luis Gustavo2017-07-06T02:47:13Z2017http://hdl.handle.net/10183/163763001024976Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático dos mecanismos de difusão responsáveis pelo switching de resistência em memórias resistivas. Essas memórias possuem estrutura semelhante a de um capacitor, a qual sofre uma transição de resistência induzida pela aplicação de um campo elétrico. A transição é provocada pela formação de filamentos condutivos no interior da matriz semicondutora. Os filamentos podem ser constituídos por metal originado de um dos eletrodos (ECM) ou por regiões do óxido deficientes em oxigênio (VCM), geradas pela difusão de vacâncias de oxigênio. Dispositivos de TiO2 foram construídos e sua resposta elétrica foi adquirida através de medidas elétricas do tipo I-V para diferentes metais de eletrodo. Técnicas de análise por feixe de íons, como retroespalhamento Rutherford por micro-feixe e perfilometria com reação nuclear ressonante, foram usadas para detalhamento dos processos de difusão. Constatou-se uma dependência do comportamento elétrico em função do método de deposição da camada semicondutora, sua espessura e os parâmetros da medida de tensão. No caso do filamento ser composto por átomos de metal, espectros de micro-RBS foram adquiridos para identificar a sua estrutura no interior do óxido. Ainda, observaram-se bolhas na superfície do eletrodo superior dos dispositivos com difusão de vacâncias de oxigênio após o tratamento elétrico. Nesse mesmo contexto, foi medida a difusividade e energia de ativação da difusão de oxigênio em filmes finos de TiOy.In this work we developed a systematic study of diffusion mechanisms which are responsible for resistance switching in resistive memories. The structure of these memories is similar to a capacitor which suffers resistance transition induced by electrical field. The transition is caused by the formation of conductive filaments inside the semiconductor matrix. The filaments may be constituted by metal from one of the electrodes (ECM) or by oxygen deficient areas (VCM), generated from oxygen vacancies diffusion. Devices of TiO2 have been built and its electrical response was acquired through electrical measurements (I-V) for different electrode metals. Ion beam techniques such as micro-probe Rutherford Backscattering and Nuclear Reaction Profiling were used to detail the diffusion processes. It was observed a dependence in the electrical behaviour with the semiconductor layer deposition method, its thickness and bias measurement parameters. In the case which filaments are composed by metal atoms, measurements of micro-RBS were performed to identify its structure inside the oxide. Also, bubbles have been observed over the surface of top electrode in devices with oxygen vacancies diffusion after the electrical treatment. In this context, it was measured diffusivity and activation energy for oxygen diffusion in thin TiOy films.application/pdfporDióxido de titânioRetroespalhamento rutherfordFeixes de íonsResistive memoriesConducting filamentsDiffusion mechanismsTiO2Ion beam analysesSíntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íonsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPrograma de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2017mestradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSORIGINAL001024976.pdf001024976.pdfTexto completoapplication/pdf2216850http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/1/001024976.pdf851747fd84ff6bc5e60782295cf2d53eMD51TEXT001024976.pdf.txt001024976.pdf.txtExtracted Texttext/plain140197http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/2/001024976.pdf.txt3b59ed273a5025dcfb48cc6815ebe653MD52THUMBNAIL001024976.pdf.jpg001024976.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg962http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/3/001024976.pdf.jpg4d015d1dfcc93056403e96e8a9dd5a4cMD5310183/1637632024-11-21 07:53:53.860029oai:www.lume.ufrgs.br:10183/163763Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532024-11-21T09:53:53Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
title Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
spellingShingle Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
Sulzbach, Milena Cervo
Dióxido de titânio
Retroespalhamento rutherford
Feixes de íons
Resistive memories
Conducting filaments
Diffusion mechanisms
TiO2
Ion beam analyses
title_short Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
title_full Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
title_fullStr Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
title_full_unstemmed Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
title_sort Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons
author Sulzbach, Milena Cervo
author_facet Sulzbach, Milena Cervo
author_role author
dc.contributor.author.fl_str_mv Sulzbach, Milena Cervo
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Grande, Pedro Luis
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Pereira, Luis Gustavo
contributor_str_mv Grande, Pedro Luis
Pereira, Luis Gustavo
dc.subject.por.fl_str_mv Dióxido de titânio
Retroespalhamento rutherford
Feixes de íons
topic Dióxido de titânio
Retroespalhamento rutherford
Feixes de íons
Resistive memories
Conducting filaments
Diffusion mechanisms
TiO2
Ion beam analyses
dc.subject.eng.fl_str_mv Resistive memories
Conducting filaments
Diffusion mechanisms
TiO2
Ion beam analyses
description Neste trabalho foi desenvolvido um estudo sistemático dos mecanismos de difusão responsáveis pelo switching de resistência em memórias resistivas. Essas memórias possuem estrutura semelhante a de um capacitor, a qual sofre uma transição de resistência induzida pela aplicação de um campo elétrico. A transição é provocada pela formação de filamentos condutivos no interior da matriz semicondutora. Os filamentos podem ser constituídos por metal originado de um dos eletrodos (ECM) ou por regiões do óxido deficientes em oxigênio (VCM), geradas pela difusão de vacâncias de oxigênio. Dispositivos de TiO2 foram construídos e sua resposta elétrica foi adquirida através de medidas elétricas do tipo I-V para diferentes metais de eletrodo. Técnicas de análise por feixe de íons, como retroespalhamento Rutherford por micro-feixe e perfilometria com reação nuclear ressonante, foram usadas para detalhamento dos processos de difusão. Constatou-se uma dependência do comportamento elétrico em função do método de deposição da camada semicondutora, sua espessura e os parâmetros da medida de tensão. No caso do filamento ser composto por átomos de metal, espectros de micro-RBS foram adquiridos para identificar a sua estrutura no interior do óxido. Ainda, observaram-se bolhas na superfície do eletrodo superior dos dispositivos com difusão de vacâncias de oxigênio após o tratamento elétrico. Nesse mesmo contexto, foi medida a difusividade e energia de ativação da difusão de oxigênio em filmes finos de TiOy.
publishDate 2017
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2017-07-06T02:47:13Z
dc.date.issued.fl_str_mv 2017
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://hdl.handle.net/10183/163763
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv 001024976
url http://hdl.handle.net/10183/163763
identifier_str_mv 001024976
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
instname_str Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron_str UFRGS
institution UFRGS
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
bitstream.url.fl_str_mv http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/1/001024976.pdf
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/2/001024976.pdf.txt
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/163763/3/001024976.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv 851747fd84ff6bc5e60782295cf2d53e
3b59ed273a5025dcfb48cc6815ebe653
4d015d1dfcc93056403e96e8a9dd5a4c
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
repository.mail.fl_str_mv lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br
_version_ 1831316021673197568

Registros relacionados