Implantação por recuo de antimônio em silício por bombardeamento com íons de argônio e germânio

• Ano de defesa: 1986
• Autor(a) principal: Erichsen Junior, Rubem
• Orientador(a): Souza, Joel Pereira de
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Implantação de íons
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/153367

Estudamos o processo de dopagem de silício com antimônio por recuo promovido por bombardeamento iônico. Em nossas experiências o sistema filme fino de antimônio de 60 nm de espessura depositado sobre silício monocristalino de orientação <100> foi bombardeado com Ar+ ou Ge+ com energias entre 40 e 800 KeV e doses entre 1,0X1014 e 1,0X1017 cm². As amostras foram submetidas e recozimento térmico rápido a temperaturas entre 950 e 1150 ºC por tempos entre 20 e 60 s ou a recozimento prolongado em forno a 600 ºC por 1h. Algumas amostras foram submetidas a recozimento em duas etapas: prolongado a 600ºC por 1h seguido de recozimento rápido a 1200ºC por 5s. A análise das amostras foi feita empregando-se retroespalhamento Rutherford (RBS), espectrometria Auger e medidas em dispositivos Van der Pauw. Os principais resultados são: i) O processo que governa a implantação por recuo e a mistura balística induzida por colisões secundárias. ii) A concentração máxima de dopante situa-se na superfície e toda região dopada localiza-se a profundidade inferior a 0,1 um. iii) A largura do perfil de implantação independo da energia do projétil, e é função da dose incidente. Doses crescentes geram perfis mais profundos. iv) O bombardeamento com Ar+ resulta em recristalização inadequado do silício. O bombardeamento com Ge+ viabiliza perfeita recristalização do silício e boa substitucionalidade do dopante.