Densidade de máximos da condutância em nanofios

• Ano de defesa: 2018
• Autor(a) principal: LIMA, Tiago Henrique Verçosa de
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal Rural de Pernambuco; Departamento de Física; Brasil; UFRPE; Programa de Pós-Graduação em Física Aplicada
• Palavras-chave em Português: Flutuação universal; Condutância; Nanofio; Modelo tight-binding; CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Link de acesso: http://www.tede2.ufrpe.br:8080/tede2/handle/tede2/7789

As flutuações universais são uma das características mais importantes para detectar caos em processos de espalhamento quântico, essas são apresentadas em termos da função de correlação a qual mede o grau de coerência num sistema caótico. O grau de coerência está relacionado a amplitude do comprimento de coerência, que define a forma da função de correlação. Um processo simples para se obter o comprimento de coerência, proposto na área da física nuclear, é baseado na contagem dos máximos da secção transversal em função da energia. Este método foi recentemente inserido na área da física mesoscópica. Os autores mostram analiticamente que é possível obter o comprimento de correlação contando os máximos da curva de condutância em função da energia da carga e do campo magnético perpendicular e/ou paralelo ao dispositivo. Este fato mostra que o método é uma alternativa viável em nanodispositivos para obter o comprimento de correlação em vez de usar diretamente a função de correlação que em geral requer muitas realizações para ser gerada. Contudo, este método não havia sido testado em qualquer tipo de nanodispositivos do ponto de vista do modelo tight-binding e/ou experimental. Neste trabalho apresentamos um estudo completo sobre as flutuações universais da condutância a partir do modelo tight-binding para um nanofio quase unidimensional submetido a um campo magnético perpendicular e paralelo. Finalmente, usamos pela primeira vez esse método em dados experimentais de magnetocondutância de um nanofio de InAs submetido a campos magnéticos perpendicular e paralelo.