Geração automatizada de máscaras para manufatura de MEMS por corrosão anisotrópica profunda.
| Ano de defesa: | 2024 |
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| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3152/tde-08072025-082638/ |
Resumo: | A fabricação de Sistemas Microeletromecânicos (MEMS) envolve uma ampla gama de disciplinas técnicas, como engenharia mecânica, ciência de materiais, engenharia elétrica, química e óptica, além de processos complexos de microfabricação, como a corrosão úmida anisotrópica em silício. A natureza cristalina do silício, com suas propriedades anisotrópicas, torna a fabricação desses dispositivos particularmente desafiadora, especialmente no que diz respeito ao projeto das máscaras fotolitográficas adequadas para obter estruturas tridimensionais desejadas. Dada a complexidade e o número elevado de etapas envolvidas na microfabricação, a simulação computacional tem se mostrado uma ferramenta essencial para economizar tempo e recursos. Este trabalho introduz um método inovador para resolver o problema inverso no projeto de máscaras, integrando algoritmos genéticos com simulações de corrosão anisotrópica. Utilizando bibliotecas de código aberto como ViennaLS para simular o processo de corrosão e o OpenSCAD para manipulação e comparação de modelos 3D, o algoritmo genético refina iterativamente as soluções de máscara através de operações de seleção, cruzamento e mutação. O objetivo é minimizar a diferença volumétrica entre a estrutura corroída e o design pretendido, atingindo uma precisão de mais de 90% em dispositivos MEMS padronizados, como vigas e ilhas, e até dispositivos mais complexos, como giroscópios otimizados. Além disso, o algoritmo ajusta automaticamente o tempo de corrosão com base na estabilização dos valores de fitness, considerando incertezas no comportamento do processo, o que elimina a necessidade de experimentos empíricos. Em conclusão, a integração de algoritmos genéticos com simulações de corrosão anisotrópica oferece uma poderosa solução para o design inverso de máscaras em MEMS, permitindo uma fabricação mais eficiente e econômica de microestruturas complexas. Este avanço representa um passo significativo na otimização de processos de microfabricação, possibilitando o desenvolvimento de dispositivos com maior precisão e menor custo. |
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Geração automatizada de máscaras para manufatura de MEMS por corrosão anisotrópica profunda.Automated generation of masks for MEMS manufacturing through deep anisotropic etching.Algoritmos genéticosAnisotropic etchingCorrosão anisotrópicaGenetic algorithmInverse problemMEMSMicrofabricaçãoMicrofabricationSilícioSiliconSistemas microeletromecânicosWet etchingA fabricação de Sistemas Microeletromecânicos (MEMS) envolve uma ampla gama de disciplinas técnicas, como engenharia mecânica, ciência de materiais, engenharia elétrica, química e óptica, além de processos complexos de microfabricação, como a corrosão úmida anisotrópica em silício. A natureza cristalina do silício, com suas propriedades anisotrópicas, torna a fabricação desses dispositivos particularmente desafiadora, especialmente no que diz respeito ao projeto das máscaras fotolitográficas adequadas para obter estruturas tridimensionais desejadas. Dada a complexidade e o número elevado de etapas envolvidas na microfabricação, a simulação computacional tem se mostrado uma ferramenta essencial para economizar tempo e recursos. Este trabalho introduz um método inovador para resolver o problema inverso no projeto de máscaras, integrando algoritmos genéticos com simulações de corrosão anisotrópica. Utilizando bibliotecas de código aberto como ViennaLS para simular o processo de corrosão e o OpenSCAD para manipulação e comparação de modelos 3D, o algoritmo genético refina iterativamente as soluções de máscara através de operações de seleção, cruzamento e mutação. O objetivo é minimizar a diferença volumétrica entre a estrutura corroída e o design pretendido, atingindo uma precisão de mais de 90% em dispositivos MEMS padronizados, como vigas e ilhas, e até dispositivos mais complexos, como giroscópios otimizados. Além disso, o algoritmo ajusta automaticamente o tempo de corrosão com base na estabilização dos valores de fitness, considerando incertezas no comportamento do processo, o que elimina a necessidade de experimentos empíricos. Em conclusão, a integração de algoritmos genéticos com simulações de corrosão anisotrópica oferece uma poderosa solução para o design inverso de máscaras em MEMS, permitindo uma fabricação mais eficiente e econômica de microestruturas complexas. Este avanço representa um passo significativo na otimização de processos de microfabricação, possibilitando o desenvolvimento de dispositivos com maior precisão e menor custo.The fabrication of Microelectromechanical Systems (MEMS) involves a wide range of technical disciplines, such as mechanical engineering, materials science, electrical engineering, chemistry, and optics, along with complex microfabrication processes like anisotropic wet etching of silicon. The crystalline nature of silicon, with its anisotropic properties, makes the fabrication of these devices particularly challenging, especially when it comes to designing suitable photolithographic masks to achieve the desired three-dimensional structures. Given the complexity and the high number of steps involved in microfabrication, computational simulation has proven to be an essential tool for saving both time and resources. This paper introduces an innovative method to solve the inverse problem in mask design by integrating genetic algorithms with anisotropic etching simulations. Using open-source libraries like ViennaLS to simulate the etching process and OpenSCAD for 3D model manipulation and comparison, the genetic algorithm iteratively refines mask solutions through selection, crossover, and mutation operations. The goal is to minimize the volumetric difference between the etched structure and the intended design, achieving an accuracy of more than 90% in standard MEMS devices, such as beams and islands, and even in more complex devices like optimized gyroscopes. Additionally, the algorithm automatically adjusts the etching time based on the stabilization of fitness values, accounting for uncertainties in process behavior, thereby eliminating the need for empirical trials. In conclusion, the integration of genetic algorithms with anisotropic etching simulations provides a powerful solution for inverse mask design in MEMS, enabling more efficient and cost-effective fabrication of complex microstructures. This advancement represents a significant step in optimizing microfabrication processes, allowing for the development of more precise devices at reduced costs.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMartins, Thiago de CastroRehder, Ana Paula Borges2024-12-13info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3152/tde-08072025-082638/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-07-10T11:43:02Zoai:teses.usp.br:tde-08072025-082638Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-07-10T11:43:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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