Microssensor de vazão implementado em silício.
| Ano de defesa: | 1999 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17092024-102217/ |
Resumo: | É apresentado o projeto de um medidor de vazão implementado com tecnologia de microeletrônica. Suas principais características são: consumo de potência da ordem de dezenas de miliwatts e a possibilidade de integração com microatuadores fluídicos. O microssensor analisado neste trabalho é do tipo calorimétrico, construído numa estrutura em microponte e cujos elementos sensores são termorresistivos. Os modelos analítico e numérico que foram desenvlvidos, apresentaram-se consistentes com resultados da literatura. A boa concordância com os resultados experimentais obtidos neste trabalho mostrou a consistência da metodologia empregada neste projeto. Definiu-se um distanciamento de 120 micrometros entre o resistor central e os resistores sensores. Também, foi confirmada a temperatura de 100\'GRAUS\'C para o resistor aquecedor. Foram definidos uma seqüência de fabricação e um aparato de testes para o medidor de vazão. O medidor foi inserido numa tubulação com 3mm de diâmetro e testado com nitrogênio. A vazão variou num intervalo de 0 a 500cm cúbicos por minuto. Curvas características, que relacionam a vazão com uma tensão de saída, foram levantadas com o uso de um medidor de vazão disponível comercialmente. As diferenças entre os valores absolutos das tensões de saída previstos com as simulações e aquelas medidas experimentalmente sugerem que parte dos filamentos está em contato térmico com o substrato. Isto pode acontecer devido à pequena espessura de camada sacrificial e ao estresse das estruturas de silício policristalino. |
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Microssensor de vazão implementado em silício.Untitled in englishFlow measurementMedida de vazãoMicroelectronics (Applications)Microeletrônica (Aplicações)SensorSensorÉ apresentado o projeto de um medidor de vazão implementado com tecnologia de microeletrônica. Suas principais características são: consumo de potência da ordem de dezenas de miliwatts e a possibilidade de integração com microatuadores fluídicos. O microssensor analisado neste trabalho é do tipo calorimétrico, construído numa estrutura em microponte e cujos elementos sensores são termorresistivos. Os modelos analítico e numérico que foram desenvlvidos, apresentaram-se consistentes com resultados da literatura. A boa concordância com os resultados experimentais obtidos neste trabalho mostrou a consistência da metodologia empregada neste projeto. Definiu-se um distanciamento de 120 micrometros entre o resistor central e os resistores sensores. Também, foi confirmada a temperatura de 100\'GRAUS\'C para o resistor aquecedor. Foram definidos uma seqüência de fabricação e um aparato de testes para o medidor de vazão. O medidor foi inserido numa tubulação com 3mm de diâmetro e testado com nitrogênio. A vazão variou num intervalo de 0 a 500cm cúbicos por minuto. Curvas características, que relacionam a vazão com uma tensão de saída, foram levantadas com o uso de um medidor de vazão disponível comercialmente. As diferenças entre os valores absolutos das tensões de saída previstos com as simulações e aquelas medidas experimentalmente sugerem que parte dos filamentos está em contato térmico com o substrato. Isto pode acontecer devido à pequena espessura de camada sacrificial e ao estresse das estruturas de silício policristalino.This work presents the design of a gas flow microsensor that was implemented by using silicon microelectronics technology. Its main features are a low power consumption (tens of mW) and the possibility of integration in flow microactuators. We adopted a calorimetric device with floating microfilaments and termoresistive sensor elements. Analytical and numerical modeling were developed and validated according to previous results. Also, the good agreement with experimental results obtained in this work shows the consistence of our design methodology. The distance between the central heater and the sensor elements was determined and resulted in the range of 120 µm. Also, we observed the need of using a heater temperature in the range of 100°C. A fabrication sequence and a test set up were defined. The microsensor was inserted in a tube with 3 mm of diameter and tested with nitrogen (0 500 sccm). The resistive sensor elements were connected to a external Wheatstone bridge. Characteristic curves, output voltage vs. flow, were obtained by using a commercial flow sensor for calibration. A good agreement was obtained in terms of normalized characteristics curves. Differences in the absolute voltage values, however, suggest that part of the filaments are in thermal contact with the substrate, what is probable due to both small thickness of the sacrificial oxide layer (o.6 µm) and stress in the polysilicon structures.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPFurlan, RogerioRodrigues, Roberto Jacobe1999-09-14info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17092024-102217/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-09-17T16:12:02Zoai:teses.usp.br:tde-17092024-102217Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-09-17T16:12:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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