Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI.
| Ano de defesa: | 2005 |
|---|---|
| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-122622/ |
Resumo: | Este trabalho descreve a metodologia empregada para projeto e simulação de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. O dispositivo projetado apresenta um diafragma de silício com quatro piezoresistores, tipo P, arranjados na forma de ponte de Wheatstone. O diafragma atua como um amplificador de stress mecânico, pois quando uma pressão é aplicada sobre o dispositivo o diafragma se curva para cima ou para baixo indicando tração ou compressão nos piezoresistores. A mudança na resistividade causada por este stress mecânico caracteriza o efeito piezoresistivo. Neste projeto o diafragma comporta-se como uma placa quadrada sujeita a pequenas deflexões. As expressões analíticas definidas pela teoria de placa são utilizadas para dimensionamento do diafragma. ANSYS, um software de elementos finitos, foi usado para modelar e analisar o sensor. Os resultados obtidos na análise por elementos finitos foram comparados aos analíticos. A opção pelo substrato SOI (Silicon On Insulator) justifica-se pela presença da camada de óxido enterrado e pela excelente qualidade mecânica da camada superficial de silício monocristalino. Entre os tipos de substrato SOI o SIMOX (Separation Implanted Oxygen) foi escolhido para construção do sensor. O sensor projetado não possui piezoresistores totalmente isolados pela camada de óxido. Os elementos piezoresistivos estão na superfície de uma camada epitaxial feita sobre a lâmina SIMOX. A camada de óxido enterrado atua no freamento da corrosão anisotrópica. |
| id |
USP_1e31f37e17d25eeb05df5629b2c5bbaa |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:teses.usp.br:tde-21102024-122622 |
| network_acronym_str |
USP |
| network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| repository_id_str |
|
| spelling |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI.Untitled in englishMétodo dos Elemetos FinitosMétodo dos Elemetos FinitosSistemas microeletromecânicosSistemas microeletromecânicosEste trabalho descreve a metodologia empregada para projeto e simulação de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. O dispositivo projetado apresenta um diafragma de silício com quatro piezoresistores, tipo P, arranjados na forma de ponte de Wheatstone. O diafragma atua como um amplificador de stress mecânico, pois quando uma pressão é aplicada sobre o dispositivo o diafragma se curva para cima ou para baixo indicando tração ou compressão nos piezoresistores. A mudança na resistividade causada por este stress mecânico caracteriza o efeito piezoresistivo. Neste projeto o diafragma comporta-se como uma placa quadrada sujeita a pequenas deflexões. As expressões analíticas definidas pela teoria de placa são utilizadas para dimensionamento do diafragma. ANSYS, um software de elementos finitos, foi usado para modelar e analisar o sensor. Os resultados obtidos na análise por elementos finitos foram comparados aos analíticos. A opção pelo substrato SOI (Silicon On Insulator) justifica-se pela presença da camada de óxido enterrado e pela excelente qualidade mecânica da camada superficial de silício monocristalino. Entre os tipos de substrato SOI o SIMOX (Separation Implanted Oxygen) foi escolhido para construção do sensor. O sensor projetado não possui piezoresistores totalmente isolados pela camada de óxido. Os elementos piezoresistivos estão na superfície de uma camada epitaxial feita sobre a lâmina SIMOX. A camada de óxido enterrado atua no freamento da corrosão anisotrópica.This work describes the design and simulation of a SOI piezoresistive pressure sensor. The device designed presents a silicon square diaphragm with four piezoresistors, P type, arranged in the Wheatstone bridge configuration. The diaphragm acts like a mechanical stress amplifier, because when a pressure is applied across the device, the diaphragm will bend downward or upward, indicating traction or compression on the piezoresistors. The piezoresistive effect is the change in resistivity caused by this mechanical stress. In this design the diaphragm acts like a square plate with small deflections. Analytical expressions defined by plate theory were used to design the diaphragm. ANSYS, finite elements software, was used to model and analyze the sensor. The results obtained by finite element analysis were compared with the analytical. The SOI (Silicon On Insulator) substrate was choosing by present a buried oxide layer and a top silicon layer mechanically active. Between SOI substrates, the SIMOX (Separation Implanted Oxygen) will be used to fabricate the sensor. The sensor designed don\'t present piezoresistors isolated by the oxide layer. The piezoresistive elements are on the top epitaxial layer done on SIMOX wafer. The oxide layer acts etch stop.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPRodriguez, Edgar CharryFraga, Mariana Amorim2005-02-15info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-122622/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-10-21T14:30:02Zoai:teses.usp.br:tde-21102024-122622Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-10-21T14:30:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
| dc.title.none.fl_str_mv |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. Untitled in english |
| title |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| spellingShingle |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. Fraga, Mariana Amorim Método dos Elemetos Finitos Método dos Elemetos Finitos Sistemas microeletromecânicos Sistemas microeletromecânicos |
| title_short |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| title_full |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| title_fullStr |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| title_full_unstemmed |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| title_sort |
Projeto de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. |
| author |
Fraga, Mariana Amorim |
| author_facet |
Fraga, Mariana Amorim |
| author_role |
author |
| dc.contributor.none.fl_str_mv |
Rodriguez, Edgar Charry |
| dc.contributor.author.fl_str_mv |
Fraga, Mariana Amorim |
| dc.subject.por.fl_str_mv |
Método dos Elemetos Finitos Método dos Elemetos Finitos Sistemas microeletromecânicos Sistemas microeletromecânicos |
| topic |
Método dos Elemetos Finitos Método dos Elemetos Finitos Sistemas microeletromecânicos Sistemas microeletromecânicos |
| description |
Este trabalho descreve a metodologia empregada para projeto e simulação de um sensor de pressão piezoresistivo em substrato SOI. O dispositivo projetado apresenta um diafragma de silício com quatro piezoresistores, tipo P, arranjados na forma de ponte de Wheatstone. O diafragma atua como um amplificador de stress mecânico, pois quando uma pressão é aplicada sobre o dispositivo o diafragma se curva para cima ou para baixo indicando tração ou compressão nos piezoresistores. A mudança na resistividade causada por este stress mecânico caracteriza o efeito piezoresistivo. Neste projeto o diafragma comporta-se como uma placa quadrada sujeita a pequenas deflexões. As expressões analíticas definidas pela teoria de placa são utilizadas para dimensionamento do diafragma. ANSYS, um software de elementos finitos, foi usado para modelar e analisar o sensor. Os resultados obtidos na análise por elementos finitos foram comparados aos analíticos. A opção pelo substrato SOI (Silicon On Insulator) justifica-se pela presença da camada de óxido enterrado e pela excelente qualidade mecânica da camada superficial de silício monocristalino. Entre os tipos de substrato SOI o SIMOX (Separation Implanted Oxygen) foi escolhido para construção do sensor. O sensor projetado não possui piezoresistores totalmente isolados pela camada de óxido. Os elementos piezoresistivos estão na superfície de uma camada epitaxial feita sobre a lâmina SIMOX. A camada de óxido enterrado atua no freamento da corrosão anisotrópica. |
| publishDate |
2005 |
| dc.date.none.fl_str_mv |
2005-02-15 |
| dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| format |
masterThesis |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-122622/ |
| url |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-122622/ |
| dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
| language |
por |
| dc.relation.none.fl_str_mv |
|
| dc.rights.driver.fl_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. info:eu-repo/semantics/openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.coverage.none.fl_str_mv |
|
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
| publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
| dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP instname:Universidade de São Paulo (USP) instacron:USP |
| instname_str |
Universidade de São Paulo (USP) |
| instacron_str |
USP |
| institution |
USP |
| reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP) |
| repository.mail.fl_str_mv |
virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br |
| _version_ |
1818279223413964800 |