Ligas microcristalinas de silício carbono depositadas pela técnica PECVD.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Cardoso, Carlos Alberto Villacorta
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Carbeto de silício; CVD Plama; Microcristais; Microcrystals; Microelectronics; Microeletrônica; Plama CVD; Silicon carbide
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-151824/

Neste trabalho relatamos os resultados da deposição e caracterização de filmes finos de Carbeto de silício obtidos pela técnica de Deposição Química a Vapor Assistida por Plasma (PECVD) a baixas temperaturas (<400 graus Celsius). Os flmes foram depositados pela decomposição apropriada de silano e metano diluídos em hidrogênio, variando essencialmente três parâmetros de deposição: potência de RF, concentração dos gases reagentes e a diluição em hidrogênio. As propriedades estruturais dos filmes foram analisadas através da Espectroscopia de Absorção no Infravermelho. Para estudarmos também a ordem química e estrutural os filmes foram caracterizados pela Estrutura Fina da Absorção de Raios-X (EXAFS) e por Difração de raios-X. Os resultados mostraram a viabilidade de se obter películas finas de Carbeto de silício amorfo por PECVD com alta ordem química, desde que as condições de deposição empregadas sejam adequadas. Em particular mostramos que a técnica de PECVD utilizando condições de starving plasma (baixos fluxos de silano, baixa pressão de deposição, alta densidade de potência de RF) e diluição em hidrogênio promove o crescimento de películas com elevada ordem química (similar à do Carbeto desilício cristalino), inclusive com a presença de microcristais de Carbeto de silício. Além disso, por meio da Espectroscopia por Raios-X, verificamos que tais microcristais apresentaram orientaçõescristalográficas análogas à orientação dos correspondentes substratos sobre os quais foram crescidas as películas, revelando um comportamento do tipo epitaxial destas condições de deposição.