Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2001
Autor(a) principal: Pisani, Marcelo Bento
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13092024-090815/
Resumo: Este trabalho mostra a construção de um sistema de medidas elétricas de RF aplicado à caracterização elétrica de reatores de processamento a plasma trabalhando em 13,56 MHz. O sistema é baseado em duas pontas sensoras de tensão e de corrente conectadas o mais próximo possível ao eletrodo de processo para se evitar efeitos indesejados devido a capacitâncias e indutâncias parasitárias. As formas de onda de tensão e de corrente são digitalizadas por um osciloscópio e tratadas por um programa de computador. Foi desenvolvido um esquema de calibração realizado em três etapas: utilizando referências de fase, referências de amplitude e um método baseado em impedâncias complexas de valores bem conhecidos para o cálculo de uma matriz de transferência ABCD para a rede de impedâncias parasitárias que compõem o sistema de medidas. O sistema calibrado foi utilizado na medida de propriedades elétricas de plasmas num reator tipo RIE de lâmina única, utilizando como gases de processo argônio e hexafluoreto de enxofre, trabalhando em pressões entre 3 e 27 Pa e potências de RF entre 10 e 100 W. Foi proposto um modelo para a correção das medidas em função dos parâmetros parasitários do eletrodo de plasma, cujo elemento principal é a capacitância entre eletrodos, em torno de 100 pF. As resistências de plasma observadas ficaram entre 50 ohms e 1 quiloohm para hexafluoreto de enxofre e entre 50 e 300 ohms para argônio. As capacitâncias de bainha ficaram entre 20 e 200 pF para hexafluoreto de enxofre e entre 15 e 50 pF para argônio. O ângulo de fase da impedância ficou entre -87 e -60 graus para todas as medidas. Mostrou-se que ângulos acima da faixa de 70 a 80 graus em módulo tornam muito alta a incerteza no cálculo da potência de plasma.
id USP_2c8fd781ad1c709f6004197b0a7b6300
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-13092024-090815
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.Untitled in englishElectrical measurementsMedidas elétricasReactors and transformersReatores e transformadoresEste trabalho mostra a construção de um sistema de medidas elétricas de RF aplicado à caracterização elétrica de reatores de processamento a plasma trabalhando em 13,56 MHz. O sistema é baseado em duas pontas sensoras de tensão e de corrente conectadas o mais próximo possível ao eletrodo de processo para se evitar efeitos indesejados devido a capacitâncias e indutâncias parasitárias. As formas de onda de tensão e de corrente são digitalizadas por um osciloscópio e tratadas por um programa de computador. Foi desenvolvido um esquema de calibração realizado em três etapas: utilizando referências de fase, referências de amplitude e um método baseado em impedâncias complexas de valores bem conhecidos para o cálculo de uma matriz de transferência ABCD para a rede de impedâncias parasitárias que compõem o sistema de medidas. O sistema calibrado foi utilizado na medida de propriedades elétricas de plasmas num reator tipo RIE de lâmina única, utilizando como gases de processo argônio e hexafluoreto de enxofre, trabalhando em pressões entre 3 e 27 Pa e potências de RF entre 10 e 100 W. Foi proposto um modelo para a correção das medidas em função dos parâmetros parasitários do eletrodo de plasma, cujo elemento principal é a capacitância entre eletrodos, em torno de 100 pF. As resistências de plasma observadas ficaram entre 50 ohms e 1 quiloohm para hexafluoreto de enxofre e entre 50 e 300 ohms para argônio. As capacitâncias de bainha ficaram entre 20 e 200 pF para hexafluoreto de enxofre e entre 15 e 50 pF para argônio. O ângulo de fase da impedância ficou entre -87 e -60 graus para todas as medidas. Mostrou-se que ângulos acima da faixa de 70 a 80 graus em módulo tornam muito alta a incerteza no cálculo da potência de plasma.This work shows the construction of an RF electrical measurement system applied to the electrical characterization of plasma processing reactors working at 13.56 MHz. The system is based on two probes, one for sensing voltage and another for current which are placed as close as possible to the process electrode to avoid parasitic circuit effects. Voltage and current waveforms are digitalized by an oscilloscope and processed by a computer program. The measurement system must be calibrated in order to provide significant results. A three step calibration procedure was established. A first step takes into account the phase (delay) between measured current and measured voltage. The second step calibrates the moduli of the measured current and voltage. The third step generates a transfer matrix which takes into account the reactive parasitic elements of the system. The calibrated system was used for measuring electrical properties of a single wafer RIE reactor, using argon and sulphur hexafluorine as gases. The pressure was varied from 3 to 27 Pa, with power levels from 10 to 100 W. We proposed a model to correct the measurements for the plasma electrode parasitics, whose most important value is the inter-electrode capacitance, of about 100 pF. The plasma bulk resistance values observed were in the 50 ohm - 1 kiloohm range for sulphur hexafluorine and in the 50 - 300 ohm range for argon. The sheath capacitances are in the range of 20 - 200 pF for sulphur hexafluorine and between 15 and 50 pF for argon. The impedance phase angle is between -87 and -60 degrees for all the measures. We showed that angles higher than 70-80 degrees in modulus induce an exagerated uncertainty in the power calculation.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPVerdonck, Patrick BernardPisani, Marcelo Bento2001-08-17info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13092024-090815/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-09-13T12:12:02Zoai:teses.usp.br:tde-13092024-090815Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-09-13T12:12:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
Untitled in english
title Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
spellingShingle Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
Pisani, Marcelo Bento
Electrical measurements
Medidas elétricas
Reactors and transformers
Reatores e transformadores
title_short Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
title_full Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
title_fullStr Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
title_full_unstemmed Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
title_sort Medidas elétricas de RF em reatores de processamento a plasma.
author Pisani, Marcelo Bento
author_facet Pisani, Marcelo Bento
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Verdonck, Patrick Bernard
dc.contributor.author.fl_str_mv Pisani, Marcelo Bento
dc.subject.por.fl_str_mv Electrical measurements
Medidas elétricas
Reactors and transformers
Reatores e transformadores
topic Electrical measurements
Medidas elétricas
Reactors and transformers
Reatores e transformadores
description Este trabalho mostra a construção de um sistema de medidas elétricas de RF aplicado à caracterização elétrica de reatores de processamento a plasma trabalhando em 13,56 MHz. O sistema é baseado em duas pontas sensoras de tensão e de corrente conectadas o mais próximo possível ao eletrodo de processo para se evitar efeitos indesejados devido a capacitâncias e indutâncias parasitárias. As formas de onda de tensão e de corrente são digitalizadas por um osciloscópio e tratadas por um programa de computador. Foi desenvolvido um esquema de calibração realizado em três etapas: utilizando referências de fase, referências de amplitude e um método baseado em impedâncias complexas de valores bem conhecidos para o cálculo de uma matriz de transferência ABCD para a rede de impedâncias parasitárias que compõem o sistema de medidas. O sistema calibrado foi utilizado na medida de propriedades elétricas de plasmas num reator tipo RIE de lâmina única, utilizando como gases de processo argônio e hexafluoreto de enxofre, trabalhando em pressões entre 3 e 27 Pa e potências de RF entre 10 e 100 W. Foi proposto um modelo para a correção das medidas em função dos parâmetros parasitários do eletrodo de plasma, cujo elemento principal é a capacitância entre eletrodos, em torno de 100 pF. As resistências de plasma observadas ficaram entre 50 ohms e 1 quiloohm para hexafluoreto de enxofre e entre 50 e 300 ohms para argônio. As capacitâncias de bainha ficaram entre 20 e 200 pF para hexafluoreto de enxofre e entre 15 e 50 pF para argônio. O ângulo de fase da impedância ficou entre -87 e -60 graus para todas as medidas. Mostrou-se que ângulos acima da faixa de 70 a 80 graus em módulo tornam muito alta a incerteza no cálculo da potência de plasma.
publishDate 2001
dc.date.none.fl_str_mv 2001-08-17
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13092024-090815/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13092024-090815/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1818279194405109760