Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\".
| Ano de defesa: | 2000 |
|---|---|
| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/ |
Resumo: | O emprego de lâminas do tipo SOI (\"Silicon-On-Insulator\") indubitavelmente proporciona melhorias em desempenho elétrico de dispositivos de microeletrônica, além de permitir simplificações no processo de fabricação de circuitos integrados, o que geralmente se traduz em um melhor rendimento de processos. Este trabalho objetivou o desenvolvimento de um protótipo de lâmina SOI de alta qualidade, utilizando uma nova tecnologia, recentemente batizada por \"Smart Cut\" que apresenta uma série de vantagens adicionais em relação às tecnologias congêneres precedentes. Seu escopo envolveu as três principais fases de preparação da lâmina SOI, partindo de lâminas convencionais, até um protótipo final. Foram abordadas as etapas de formação de par soldado a temperatura ambiente, seguida de fortalecimento da solda em vários ambientes de recozimento, a formação de camada enterrada de cavidades por implantação (I/I) de hidrogênio e, finalmente, a combinação destas etapas para a obtenção de um protótipo de lâmina SOI. Utilizamos várias técnicas de análise das amostras produzidas nas várias etapas, incluindo microscopia óptica e eletrônica, tanto de varredura como de transmissão, espectrometria simples de infravermelho e por transformada rápida de Fourier, sistema de análise por transmissão de luz infravermelha e microscopia de força atômica. Nossos resultados indicam que a solda direta deve ser precedida de limpeza química convencional de lâminas que produzem superfícies livres decontaminantes e partículas e torna suas superfícies hidrófilas, características desejáveis para se obter uma boa solda a temperatura ambiente. Limpezas capazes de aumentar a característica hidrófila das lâminas, embora produzam melhores soldas à temperatura ambiente, tendem a formar maior número de bolhas interfaciais durante o recozimento do par a alta temperatura para fortalecimento de sua solda. ) Um processo de ativação por plasma de oxigênio, após a limpeza e imediatamente antes de se proceder a solda, mostrou-se eficiente na remoção de partículas e contaminações por hidrocarbonetos e, consequentemente, na melhoria das soldas obtidas. Embora o recozimento para fortalecimento da solda em ambiente de oxidação úmida tenha-se mostrado o mais eficiente, o recozimento em ambiente de oxidação seca também produziu resultados satisfatórios e é mais apropriado para o tratamento térmico de lâminas SOI, com finas camadas ativas de Si. Os parâmetros mais adequados para o processo de implantação de hidrogênio para formar cavidades enterradas que produzem a clivagem interna foram determinados como: dose de 5,5 x´10 POT.16´ íons/cm´POT.2´ de ´H POT.+´ a uma energia de 40 a 60keV, através de um óxido térmico de 200nm de espessura. Estas cavidades preenchidas com hidrogênio coalescem dependendo da quantidade de energia térmica fornecida em um processo governado por duas energias de ativação diferentes e uma temperatura de transição ao redor de 500´GRAUS´C.Finalmente, ao combinarmos as etapas anteriores para produzir a lâmina SOI, verificamos a necessidade de intercalar uma etapa adicional para promoção da clivagem interna, em um forno de processamento térmico rápido, utilizando uma rampa de temperatura desde a ambiente até aproximadamente 500´GRAUS´C em alguns minutos. |
| id |
USP_3cedbba02d079bee33bd6d64c1fd1abb |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:teses.usp.br:tde-19112024-100412 |
| network_acronym_str |
USP |
| network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| repository_id_str |
|
| spelling |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\".Untitled in englishLâminas SOISOI bladesSoldagemWeldingO emprego de lâminas do tipo SOI (\"Silicon-On-Insulator\") indubitavelmente proporciona melhorias em desempenho elétrico de dispositivos de microeletrônica, além de permitir simplificações no processo de fabricação de circuitos integrados, o que geralmente se traduz em um melhor rendimento de processos. Este trabalho objetivou o desenvolvimento de um protótipo de lâmina SOI de alta qualidade, utilizando uma nova tecnologia, recentemente batizada por \"Smart Cut\" que apresenta uma série de vantagens adicionais em relação às tecnologias congêneres precedentes. Seu escopo envolveu as três principais fases de preparação da lâmina SOI, partindo de lâminas convencionais, até um protótipo final. Foram abordadas as etapas de formação de par soldado a temperatura ambiente, seguida de fortalecimento da solda em vários ambientes de recozimento, a formação de camada enterrada de cavidades por implantação (I/I) de hidrogênio e, finalmente, a combinação destas etapas para a obtenção de um protótipo de lâmina SOI. Utilizamos várias técnicas de análise das amostras produzidas nas várias etapas, incluindo microscopia óptica e eletrônica, tanto de varredura como de transmissão, espectrometria simples de infravermelho e por transformada rápida de Fourier, sistema de análise por transmissão de luz infravermelha e microscopia de força atômica. Nossos resultados indicam que a solda direta deve ser precedida de limpeza química convencional de lâminas que produzem superfícies livres decontaminantes e partículas e torna suas superfícies hidrófilas, características desejáveis para se obter uma boa solda a temperatura ambiente. Limpezas capazes de aumentar a característica hidrófila das lâminas, embora produzam melhores soldas à temperatura ambiente, tendem a formar maior número de bolhas interfaciais durante o recozimento do par a alta temperatura para fortalecimento de sua solda. ) Um processo de ativação por plasma de oxigênio, após a limpeza e imediatamente antes de se proceder a solda, mostrou-se eficiente na remoção de partículas e contaminações por hidrocarbonetos e, consequentemente, na melhoria das soldas obtidas. Embora o recozimento para fortalecimento da solda em ambiente de oxidação úmida tenha-se mostrado o mais eficiente, o recozimento em ambiente de oxidação seca também produziu resultados satisfatórios e é mais apropriado para o tratamento térmico de lâminas SOI, com finas camadas ativas de Si. Os parâmetros mais adequados para o processo de implantação de hidrogênio para formar cavidades enterradas que produzem a clivagem interna foram determinados como: dose de 5,5 x´10 POT.16´ íons/cm´POT.2´ de ´H POT.+´ a uma energia de 40 a 60keV, através de um óxido térmico de 200nm de espessura. Estas cavidades preenchidas com hidrogênio coalescem dependendo da quantidade de energia térmica fornecida em um processo governado por duas energias de ativação diferentes e uma temperatura de transição ao redor de 500´GRAUS´C.Finalmente, ao combinarmos as etapas anteriores para produzir a lâmina SOI, verificamos a necessidade de intercalar uma etapa adicional para promoção da clivagem interna, em um forno de processamento térmico rápido, utilizando uma rampa de temperatura desde a ambiente até aproximadamente 500´GRAUS´C em alguns minutos.Silicon-on-insulator (SOI) technology promises significant performance advantages as well as cost reduction over the existing bulk silicon technologies. Among the various current technologies for obtaining such structures, the \"Smart-Cut\" process has been pointed out as one of the most prominent technologies, with a number of further advantages over preceding SOI technologies. This work evaluates the main steps within a \"Smart-Cut\" like fabrication process to produce a SOI wafer prototype. Its scope includes SOI wafer preparation phases from individual commercial Si wafers up to a final prototype. We have investigated room temperature wafer bonding processes, followed by high temperature annealing in various environments for bond strengthening. We have also performed tests to form a buried layer containing voids through a variety of hydrogen implantation and thermal annealing conditions. Finally, we have combined the previous results to produce the SOI wafer prototype. A large variety of analytical techniques were employed in our work, including optical and electrical microscopy, both scanning and transmission, simple infra-red spectroscopy and as well as with Fast Fourier Transforms, atransmitted infra-red analysis system and atomic force microscopy. Our results indicate that wafer conventional chemical cleaning must precede bonding in order to eliminate particles and other contaminants such as hydrocarbons as well as torender hydrophilic wafer surfaces, desirable characteristics for good room temperature bonding. Although cleaning procedures that increase the hydrophilic characteristic of surfaces produce stronger bonding, they also tend to form a higherdensity of interfacial bubbles during high temperature annealing for bond strengthening. An oxygen plasma procedure, after cleaning and immediately before bonding, proved efficient for removing particles and hydrocarbon contamination and, as a result improved the room temperature bond strength. High temperature in wetoxide environment rendered the strongest bonds but annealing in dry oxide has also shown satisfactory results. After various tests, the most appropriate hydrogen implantation parameters to form buried cavities were determined as: ´H POT.+´ dose of 5,5 x ´10 POT.16´ ions/´cm POT.2´, implanted with energies ranging from 40 to 60keV through a 200nm the rmal oxide. These hydrogen filled cavities then coalesce depending on the amount of thermal energy given, in a process governed by two different activation energies and a transition temperature around 500´DEGREE´C. We finally have combined the previous results to produce the SOI wafer prototype. However, in order to do so, we had to intercalate a rapid thermal annealing step to promote wafer splitting. The appropriate procedure requires slow ramp up of temperature, from room to approximate 500´DEGREE´C in a few minutes. After forming the SOI wafer, defects were annealed out at 1100´DEGREE´C in dry oxygen since the highoxidation rate associated with wet oxygen environments would have consumed the entire active layer.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPBraga, Nelson Liebentritt de AlmeidaForhan, Neisy Amparo Escobar2000-12-20info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-11-19T12:10:02Zoai:teses.usp.br:tde-19112024-100412Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-11-19T12:10:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
| dc.title.none.fl_str_mv |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". Untitled in english |
| title |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| spellingShingle |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". Forhan, Neisy Amparo Escobar Lâminas SOI SOI blades Soldagem Welding |
| title_short |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| title_full |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| title_fullStr |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| title_full_unstemmed |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| title_sort |
Solda direta para obtenção de lâminas Soi com tecnologia \"SMART CUT\". |
| author |
Forhan, Neisy Amparo Escobar |
| author_facet |
Forhan, Neisy Amparo Escobar |
| author_role |
author |
| dc.contributor.none.fl_str_mv |
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida |
| dc.contributor.author.fl_str_mv |
Forhan, Neisy Amparo Escobar |
| dc.subject.por.fl_str_mv |
Lâminas SOI SOI blades Soldagem Welding |
| topic |
Lâminas SOI SOI blades Soldagem Welding |
| description |
O emprego de lâminas do tipo SOI (\"Silicon-On-Insulator\") indubitavelmente proporciona melhorias em desempenho elétrico de dispositivos de microeletrônica, além de permitir simplificações no processo de fabricação de circuitos integrados, o que geralmente se traduz em um melhor rendimento de processos. Este trabalho objetivou o desenvolvimento de um protótipo de lâmina SOI de alta qualidade, utilizando uma nova tecnologia, recentemente batizada por \"Smart Cut\" que apresenta uma série de vantagens adicionais em relação às tecnologias congêneres precedentes. Seu escopo envolveu as três principais fases de preparação da lâmina SOI, partindo de lâminas convencionais, até um protótipo final. Foram abordadas as etapas de formação de par soldado a temperatura ambiente, seguida de fortalecimento da solda em vários ambientes de recozimento, a formação de camada enterrada de cavidades por implantação (I/I) de hidrogênio e, finalmente, a combinação destas etapas para a obtenção de um protótipo de lâmina SOI. Utilizamos várias técnicas de análise das amostras produzidas nas várias etapas, incluindo microscopia óptica e eletrônica, tanto de varredura como de transmissão, espectrometria simples de infravermelho e por transformada rápida de Fourier, sistema de análise por transmissão de luz infravermelha e microscopia de força atômica. Nossos resultados indicam que a solda direta deve ser precedida de limpeza química convencional de lâminas que produzem superfícies livres decontaminantes e partículas e torna suas superfícies hidrófilas, características desejáveis para se obter uma boa solda a temperatura ambiente. Limpezas capazes de aumentar a característica hidrófila das lâminas, embora produzam melhores soldas à temperatura ambiente, tendem a formar maior número de bolhas interfaciais durante o recozimento do par a alta temperatura para fortalecimento de sua solda. ) Um processo de ativação por plasma de oxigênio, após a limpeza e imediatamente antes de se proceder a solda, mostrou-se eficiente na remoção de partículas e contaminações por hidrocarbonetos e, consequentemente, na melhoria das soldas obtidas. Embora o recozimento para fortalecimento da solda em ambiente de oxidação úmida tenha-se mostrado o mais eficiente, o recozimento em ambiente de oxidação seca também produziu resultados satisfatórios e é mais apropriado para o tratamento térmico de lâminas SOI, com finas camadas ativas de Si. Os parâmetros mais adequados para o processo de implantação de hidrogênio para formar cavidades enterradas que produzem a clivagem interna foram determinados como: dose de 5,5 x´10 POT.16´ íons/cm´POT.2´ de ´H POT.+´ a uma energia de 40 a 60keV, através de um óxido térmico de 200nm de espessura. Estas cavidades preenchidas com hidrogênio coalescem dependendo da quantidade de energia térmica fornecida em um processo governado por duas energias de ativação diferentes e uma temperatura de transição ao redor de 500´GRAUS´C.Finalmente, ao combinarmos as etapas anteriores para produzir a lâmina SOI, verificamos a necessidade de intercalar uma etapa adicional para promoção da clivagem interna, em um forno de processamento térmico rápido, utilizando uma rampa de temperatura desde a ambiente até aproximadamente 500´GRAUS´C em alguns minutos. |
| publishDate |
2000 |
| dc.date.none.fl_str_mv |
2000-12-20 |
| dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| format |
masterThesis |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/ |
| url |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/ |
| dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
| language |
por |
| dc.relation.none.fl_str_mv |
|
| dc.rights.driver.fl_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. info:eu-repo/semantics/openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
Liberar o conteúdo para acesso público. |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.coverage.none.fl_str_mv |
|
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
| publisher.none.fl_str_mv |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP |
| dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP instname:Universidade de São Paulo (USP) instacron:USP |
| instname_str |
Universidade de São Paulo (USP) |
| instacron_str |
USP |
| institution |
USP |
| reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
| repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP) |
| repository.mail.fl_str_mv |
virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br |
| _version_ |
1865491680534200320 |