Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos.

• Ano de defesa: 2001
• Autor(a) principal: Marques, Marlos Sampaio
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Circuitos integrados; Circuitos integrados MOS; Dispositivos eletrônicos; Electronic devices; Integrated circuits; MOS integrated circuits; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/

A atual tecnologia de fabricação de circuitos integrados (CI\'s) baseada na lógica CMOS (\"Complementary Metal Oxide Semicondutor\") vem enfrentando dificuldades para acompanhar as exigências do mercado com a constante necessidade de miniaturização. Uma das alternativas em proposta, denominada SOI (\"Silicon-On-Insulator\") visa a substituição do substrato de silício tradicional por um outro sobre isolante, tendo até então sido bem aceita como opção eficiente, confiável, estável e com custos cada vez mais equivalentes à produção vigente. O objetivo geral desta dissertação de mestrado é a verificação e estudo da vulnerabilidade de transistores SOI operando com carga totalmente depletada ao fenômeno físico indesejável que caracteriza o transistor bipolar parasitário, utilizando-se, para tanto, de um simulador numérico bidimensional. Discutiu-se o emprego correto dos modelos matemáticos e físicos a serem utilizados pelo simulador para o caso específico do transistor SOI, empregando-se uma desenvolvida base teórica e medições experimentais realizadas no laboratório de microeletrônica da Escola Politécnica da USP. Analisou-se as diversas teorias relacionadas aos fenômenos físicos que levam à atuação do transistor bipolar parasitário, estudando a influência da variação de parâmetros tecnológicos peculiares à tecnologia MOS, tais quais o comprimento efetivo de canal, espessura do filme e dos óxidos e dopagem de canal, sobre a ação do mesmo e, baseando-se nos resultados obtidos, propôs-se alternativas para se minimizar os efeitos deletérios do fenômeno, que será chamado neste documento de TBP.