Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Toquetti, Leandro Zeidan
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Fast thermal processing; Gate oxynitrides; Oxinitretos de porta; Processamento térmico rápido
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/

Neste trabalho foram fabricados oxinitretos de silício por processamento térmico rápido (RTP) utilizando gases \'O IND.2\' e \'N IND.2\'O em temperaturas acima de \'1050 GRAUS\'C e tempos de processo variando entre 30s e 600s sobre lâminas de silíciotipo n, orientação cristalográfica , de 75 cm de diâmetro e resistividade na faixa de 1 a 13\'ômega\'cm. Medidas por elipsometria mostraram que o índice de refração de oxinitretos é maior do que o do Si\'O IND.2\' comum (da ordem de 1,5 oumaior), provavelmente devido à incorporação de nitrogênio no filme. As medidas de microscopia de força atômica (AFM) indicaram dielétricos com baixíssima rugosidade média superficial, da ordem de 0,1nm ou menos. Os espectros obtidos das medidasde espectroscopia de absorção por infravermelho (FTIR) mostraram a presença de ligações químicas Si-O-N. Capacitores foram fabricados através da técnica RTP utilizando lâminas de silício tipo p, orientação cristalográfica , 75 cm dediâmetro e resistividade na ordem de 7 a 13\'ômega\'cm. Foram utilizados gases \'O IND.2\' e \'N IND.2\'O em temperaturas acima de \'1050 GRAUS\'C e tempos de processo variando entre 30s e 240s. As medidas IxV e CxV dos capacitores MOS fabricados,indicaram altos campos de ruptura (12 a 15MV/cm) para os oxinitretos comparado aos campos de ruptura das amostras de Si\'O IND.2\' (10 a 12MV/cm) e valores razoáveis de QSS (\'6.10 POT.10\' a \'6.10 POT.11\' \'cm POT -2\') em ambos os casos. Porém,capacitores com oxinitretos cujas espessuras ficaram abaixo de 10nm, apresentaram alta corrente de fuga e baixos campos de ruptura.