Caracterização da polianilina dopada com ácido fluorsilisilico H2SiF6
| Ano de defesa: | 1996 |
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| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75131/tde-19122025-135943/ |
Resumo: | Nesta tese apresentamos a caracterização da polianilina (PANI) dopada com o ácido fluorsilisílico (H2SiF6), polímero orgânico conjugado que torna-se condutor de eletricidade quando dopado com agentes químicos. A PANI, obtida na forma de pó através de síntese química, é solubilizada em N-metil pirrolidona e processada na forma de filmes (casting) de espessuras variáveis (entre 5 e 35 µm). Os filmes são dopados com ácido fluorsilisílico (H2SiF6) em diferentes concentrações, temperaturas e tempos de exposição do dopante. Estudos da condutividade DC (σDC) mostraram que os filmes dopados podem alcançar níveis de condução metálicos, com o valor máximo alcançando 500 S/cm, com os níveis de condução sendo diretamente proporcionais ao tempo de exposição, concentração e temperatura do dopante e inversamente proporcionais à espessura dos filmes. Estudos da opc em função da temperatura (entre 5 e 300 K) demonstraram que o mecanismo de condução, à baixa temperatura, é governado pelos saltos de portadores entre estados tridimensionais localizados (hopping). Estudos da condutividade AC (σAC) demonstraram que, à temperatura ambiente, o processo de transporte de cargas é do tipo metálico tridimensional (por bandas). Para junções metal/PANI dopada/ouro, quando o metal é ouro as barreiras possuem caráter ôhmico e quando é alumínio apresentam efeitos de retificação (barreira Schottky). Analisando conjuntamente os valores da condutividade, observamos que ela é anisotrópica, ou seja, a condutividade no plano é cerca de quatro ordens de grandeza maior que a paralela ao plano do filme. Micrografias obtidas por microscopia eletrônica de varredura denotam uma superfície homogênea para filmes da PANI pura mas, com a dopagem, formam-se agregados do dopante aleatoriamente distribuídos nas superfícies. Os resultados de infravermelho demonstraram que a PANI é obtida na forma de base esmeraldina e, quando dopada, toma a forma do sal esmeraldino. As absorções no ultravioleta-visível demonstram que a PANI pura possui um estado de absorção ótica em 1,94 eV no interior do gap de energia (3,74 eV), provocados por transições de anéis benzenóides para quinóides e vice-versa. Com a dopagem, desaparece esse estado e são criados dois novos estados polarônicos, localizados em ~0,9 e ~1,5 eV. Os desvios nas localizações das bandas com o aumento da concentração do dopante podem ser compreendidos através de modelo teórico baseado no método de contagem de fatores negativos utilizando uma hamiltoniana tight-binding para uma cadeia desordenada. As análises através de ressonância paramagnética eletrônica indicam uma dinâmica de portadores complexa, oscilando entre regiões metálicas tridimensionais e regiões amorfas unidimensionais. |
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Caracterização da polianilina dopada com ácido fluorsilisilico H2SiF6Characterization of polyaniline doped with fluorosilicic acid H2SiF6ácido fluorsilisílicochemical dopingconducting polymersdopagem químicafluorosilicic acidpolianilinapolímeros condutorespolyanilineNesta tese apresentamos a caracterização da polianilina (PANI) dopada com o ácido fluorsilisílico (H2SiF6), polímero orgânico conjugado que torna-se condutor de eletricidade quando dopado com agentes químicos. A PANI, obtida na forma de pó através de síntese química, é solubilizada em N-metil pirrolidona e processada na forma de filmes (casting) de espessuras variáveis (entre 5 e 35 µm). Os filmes são dopados com ácido fluorsilisílico (H2SiF6) em diferentes concentrações, temperaturas e tempos de exposição do dopante. Estudos da condutividade DC (σDC) mostraram que os filmes dopados podem alcançar níveis de condução metálicos, com o valor máximo alcançando 500 S/cm, com os níveis de condução sendo diretamente proporcionais ao tempo de exposição, concentração e temperatura do dopante e inversamente proporcionais à espessura dos filmes. Estudos da opc em função da temperatura (entre 5 e 300 K) demonstraram que o mecanismo de condução, à baixa temperatura, é governado pelos saltos de portadores entre estados tridimensionais localizados (hopping). Estudos da condutividade AC (σAC) demonstraram que, à temperatura ambiente, o processo de transporte de cargas é do tipo metálico tridimensional (por bandas). Para junções metal/PANI dopada/ouro, quando o metal é ouro as barreiras possuem caráter ôhmico e quando é alumínio apresentam efeitos de retificação (barreira Schottky). Analisando conjuntamente os valores da condutividade, observamos que ela é anisotrópica, ou seja, a condutividade no plano é cerca de quatro ordens de grandeza maior que a paralela ao plano do filme. Micrografias obtidas por microscopia eletrônica de varredura denotam uma superfície homogênea para filmes da PANI pura mas, com a dopagem, formam-se agregados do dopante aleatoriamente distribuídos nas superfícies. Os resultados de infravermelho demonstraram que a PANI é obtida na forma de base esmeraldina e, quando dopada, toma a forma do sal esmeraldino. As absorções no ultravioleta-visível demonstram que a PANI pura possui um estado de absorção ótica em 1,94 eV no interior do gap de energia (3,74 eV), provocados por transições de anéis benzenóides para quinóides e vice-versa. Com a dopagem, desaparece esse estado e são criados dois novos estados polarônicos, localizados em ~0,9 e ~1,5 eV. Os desvios nas localizações das bandas com o aumento da concentração do dopante podem ser compreendidos através de modelo teórico baseado no método de contagem de fatores negativos utilizando uma hamiltoniana tight-binding para uma cadeia desordenada. As análises através de ressonância paramagnética eletrônica indicam uma dinâmica de portadores complexa, oscilando entre regiões metálicas tridimensionais e regiões amorfas unidimensionais.In this thesis the characterization of polyaniline (PANI) doped with fluorsilicic acid (H2SiF6) is presented. PANI is a conjugated organic polymer which becames conducting when doped with chemical agents. PANI was obtained by chemical synthesis in the form of powder. It could be dissolved in N-methyl pyrrolidone (NMP), and processed as film by casting with thickness from 5 to 35 µm. The films were doped with various concentrations of fluorsilicic acid (H2SiF6), under different conditions of temperature and exposure times. Doped films possessed d.c. conductivities of up to 500 S/cm, the same order of magnitude of metallic materials. The conductivity increased with increasing dopant concentrations, temperature and exposure time but decrease with increasing thickness. The temperatures dependence of DC between 5 and 300 K) showed that at low temperatures the conduction process is governed by variable range hopping between three dimensional localized states. From AC conductivity measurements the conduction process are shown to be metallic at room temperatures. Metal/doped PANI/metal junction were fabricated. These junctions presented ohmic behavior when gold was used on both sides, but they showed a diode-like behavior when doped PANI was sandwiched between gold and aluminum contacts. Upon comparison of the conductivity values, one notes that the conductivity is anisotropic, with in-plane values being four orders of magnitude higher than the transverse conductivity.Scanning electron microscopy revealed homogeneous films of pure PANI. Micrographs of doped fiims, however, displayed aggregates that were probably formed by randomly distributed dopant material. Infrared spectroscopy showed that PANI is obtained in the emeraldine base form which is turned into the emeraldine salt form by doping. The ultravioletvisible spectra showed that pure PANI has a absorption band located on 1.94 eV in the energy gap (3.74 eV), associated with interconversion of benzenoid and quinoid rings. This band disappears by doping and two new polaronic states are created in ~0.9 e ~1.5 eV. The shift on the band localization with increasing doping concentration are explained by theoretical model based on the method of negative factor counting with a tight binding disordered hamiltonian. The analysis with electron spin resonance indicated a complex carrier dynamic, varying from 3D metallic regions and 1D amorphous regions.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPCampos, Milton Soares deJúnior, Braz Bello1996-03-01info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75131/tde-19122025-135943/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-12-19T17:10:02Zoai:teses.usp.br:tde-19122025-135943Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-12-19T17:10:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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