Desenvolvimento de um equipamento para crescimento de monocristais metálicos e semicondutores por fusão aplicação em antimoneto de indio
| Ano de defesa: | 1993 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
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Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
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| País: |
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-02122014-171557/ |
Resumo: | Construímos um forno para preparação de cristais metálicos e semicondutores, com ponto de fusão de ate 600 °C pela técnica de puxamento. O sistema foi testado com o crescimento de cristais de antimoneto de indio de alta pureza com diâmetros de ate 17mn. Esse material foi caracterizado e utilizado na construção de um protótipo de detetor fotocondutor de infravermelho que apresentou responsividade compatível com a calculada teoricamente. Apresentamos uma revisão das propriedades do antimoneto de indio, da teoria de crescimento por puxamento e da teoria dos detetores fotocondutores. O equipamento, os sistemas de controle e os procedimentos sao descritos em detalhes permitindo sua reprodução. Descrevemos, também, os sistemas montados para a caracterização elétrica dos cristais e de medida de responsividade do detetor |
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