Estudo de transistores de porta tripla de corpo.

• Ano de defesa: 2012
• Autor(a) principal: Andrade, Maria Glória Caño de
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Bulk; DTMOS; Early voltage; Ganho de tensão intrínseco; Intrinsic voltage gain; Low-frequency noise; MuGFET; Porta tripla de Corpo; Proton irradiation; Radiação de prótons; Ruído de baixa frequência; Tensão Early; Transistor; Transistores; Triple gate
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/

O objetivo principal deste trabalho é o estudo de transistores MuGFETs de porta tripla de Corpo de canal tipo-n com e sem a aplicação da configuração DTMOS. Este estudo será realizado através de simulações numéricas tridimensionais e por caracterizações elétricas. A corrente de dreno, a transcondutância, a resistência, a tensão de limiar, a inclinação de sublimiar e a Redução da Barreira Induzida pelo Dreno (DIBL) serão analisadas em modo DTMOS e em configuração de polarização convencional. Importantes figuras de mérito para o desempenho analógico como transcondutância-sobre-corrente de dreno, a condutância de saída, a tensão Early e o ganho de tensão intrínseco serão estudados tanto experimentalmente como através de simulações numéricas tridimensionais para diferentes concentrações de dopantes no canal. Os resultados indicam que a configuração DTMOS apresenta as características elétricas superiores (4 e 10 %) e maior eficiência dos transistores. Além disso, os dispositivos DTMOS com alta concentração de dopantes no canal apresentaram um desempenho analógico muito melhor quando comparados ao transistor de porta tripla de Corpo em modo de operação convencional. O ruído de baixa frequência (LF) é pela primeira vez experimentalmente analisado na região linear e saturação. A origem do ruído é analisada de maneira a compreender os mecanismos físicos envolvidos neste tipo de ruído. As medições mostraram que os espectros do sinal dos dispositivos de porta tripla de Corpo e DTMOS são compostos por flutuações referentes ao número de portadores devido ao ruído flicker e por ondas de ruído de geração e recombinação no dielétrico de porta que se torna maior com o aumento da tensão de porta. No entanto, o principal fato desta análise é que o dispositivo DTMOS apresentou praticamente a mesma magnitude do ruído LF na região linear e de saturação que o dispositivo de Corpo. A energia de 60 MeV na fluência de p/1012 cm-2 de radiações de prótons é também estudada experimentalmente em termos das características elétricas, desempenho do analógico e ruído LF nos dispositivos de porta tripla de Corpo e DTMOS. Os resultados indicam que combinado com as suas melhores características elétricas e um ótimo desempenho analógico do DTMOS, faz o transistor de porta tripla de Corpo um candidato muito competitivo para aplicações analógicas em ruído de baixa frequência antes e depois da irradiação. A vantagem da técnica DTMOS em transistores de porta tripla em ambientes onde os dispositivos têm de suportar alta radiação é devido à menor penetração do campo de dreno que reduz o efeito das cargas induzidas pelo óxido de isolação (STI). Finalmente, o transistor de Corpo de porta tripla de canal tipo-n é experimentalmente estudado como célula de memória, isto é, como 1T-DRAM (Memória de Acesso Aleatório Dinâmico com 1 transistor). Para escrever e ler 1 é utilizado um modo de programação que utiliza o efeito do transistor bipolar parasitário (BJT) enquanto a polarização direta da junção do corpo e do dreno é usada para escrever 0. As correntes de leitura e escrita aumentam com o aumento da tensão do corpo (VB) porque as cargas induzidas pelo efeito BJT é armazenada dentro da aleta. Quando o corpo do transistor está flutuante, o dispositivo retém mais cargas dentro da sua aleta. Além disso, transistor de Corpo pode ser utilizado como 1T-DRAM com eletrodo de porta e substrato flutuando. Neste caso, o dispositivo funciona como um biristor (sem porta).