Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1990
Autor(a) principal: Freitas, Wilson José de
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Cobalt
Cobalto
Filmes finos
Thin films
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23012025-152941/
Resumo: Foi estudada a formação de di-siliceto de cobalto (\'CO\'\'SI IND.2\') a partir da deposição do metal por pulverização catódica sobre um substrato de silício monocristalino pouco dopado, seguido de recozimento em equipamento para processamento térmico rápido. Foi apresentado um estudo da sequência de fases formadas através de recozimentos em várias temperaturas. Obteve-se a formação de \'CO\'\'SI IND.2\' uniforme e de baixa resistividade (\'ANTIND.16 MI\' 52cm) de rtp a 700\'GRAUS\'c por 12 segundos. A deposição reativa de cobalto mostrou que a quantidade de impurezas no filme de cobalto pode ser expulsa, inibir ou acelerar a reação dependendo de sua concentração. A otimização da técnica de deposição permitiu produzir filmes de di-siliceto de cobalto no LSI da EPUSP com características comparáveis aquelas reportadas na literatura internacional.
id USP_64b9cc8331413c6d2ccc7724663d845a
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-23012025-152941
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.Untitled in englishCobaltCobaltoFilmes finosThin filmsFoi estudada a formação de di-siliceto de cobalto (\'CO\'\'SI IND.2\') a partir da deposição do metal por pulverização catódica sobre um substrato de silício monocristalino pouco dopado, seguido de recozimento em equipamento para processamento térmico rápido. Foi apresentado um estudo da sequência de fases formadas através de recozimentos em várias temperaturas. Obteve-se a formação de \'CO\'\'SI IND.2\' uniforme e de baixa resistividade (\'ANTIND.16 MI\' 52cm) de rtp a 700\'GRAUS\'c por 12 segundos. A deposição reativa de cobalto mostrou que a quantidade de impurezas no filme de cobalto pode ser expulsa, inibir ou acelerar a reação dependendo de sua concentração. A otimização da técnica de deposição permitiu produzir filmes de di-siliceto de cobalto no LSI da EPUSP com características comparáveis aquelas reportadas na literatura internacional.Cobalt siIicide (COSI2) formation was studied beginning with sputtered cobalt deposition onto slightly doped, monocrystalline silicon substrates, followed by annealing in rapid thermal processing equipment. Uniform and low level Impurity concentration COSI2 films were achieved with 700 °C, 12 second annealings, resulting in 16µcm silicide. Both RTP equipment, based on halogenic lamps in a nitrogen atmosphere or on a resistor graphite heater In the vacuum chamber, produced the same results. A study of the sequence of phase formation by means of annealing at different temperatures is also presented. The reactive deposition of cobalt allowed silicide formation for smalI amounts of oxygen, which means that the oxygen was expelled during the silicidation process. For higher oxygen concentrations, the reaction between cobalt and silicon was Inhibited by the formation of a diffusion barrier, probably a cobalt dioxide film. Similar results were Obtained in samples with cobalt deposition under non-optimized conditions. With an Intermediate level of contamination, a faster reaction was observed when forming cobalt silicide, which requires further studies. By means of Improving vacuum conditions and gas purity In the LSI sputtering system, together with a higher cobalt deposition rate, It was possible to obtain cobalt silicide films with characteristics comparable with those reported in tile International literature.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPSwart, Jacobus WillibrordusFreitas, Wilson José de1990-09-17info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23012025-152941/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-23T17:37:07Zoai:teses.usp.br:tde-23012025-152941Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-23T17:37:07Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
Untitled in english
title Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
spellingShingle Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
Freitas, Wilson José de
Cobalt
Cobalto
Filmes finos
Thin films
title_short Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
title_full Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
title_fullStr Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
title_full_unstemmed Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
title_sort Estudo da formação de filmes finos de di-siliceto de cobalto.
author Freitas, Wilson José de
author_facet Freitas, Wilson José de
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Swart, Jacobus Willibrordus
dc.contributor.author.fl_str_mv Freitas, Wilson José de
dc.subject.por.fl_str_mv Cobalt
Cobalto
Filmes finos
Thin films
topic Cobalt
Cobalto
Filmes finos
Thin films
description Foi estudada a formação de di-siliceto de cobalto (\'CO\'\'SI IND.2\') a partir da deposição do metal por pulverização catódica sobre um substrato de silício monocristalino pouco dopado, seguido de recozimento em equipamento para processamento térmico rápido. Foi apresentado um estudo da sequência de fases formadas através de recozimentos em várias temperaturas. Obteve-se a formação de \'CO\'\'SI IND.2\' uniforme e de baixa resistividade (\'ANTIND.16 MI\' 52cm) de rtp a 700\'GRAUS\'c por 12 segundos. A deposição reativa de cobalto mostrou que a quantidade de impurezas no filme de cobalto pode ser expulsa, inibir ou acelerar a reação dependendo de sua concentração. A otimização da técnica de deposição permitiu produzir filmes de di-siliceto de cobalto no LSI da EPUSP com características comparáveis aquelas reportadas na literatura internacional.
publishDate 1990
dc.date.none.fl_str_mv 1990-09-17
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23012025-152941/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23012025-152941/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1839839155524206592

Registros relacionados