Obtenção de filmes de SnO2 com técnicas de baixo custo para aplicações em sensores.

• Ano de defesa: 2001
• Autor(a) principal: Stolf, Ricardo Germano
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes finos; Thin films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-104212/

Este trabalho é dedicado ao desenvolvimento de filmes de Sn\'O IND. 2\' usando uma tecnologia de baixo custo, para serem usados como elemento ativo em sensores de gás. Para a obtenção desses filmes é utilizada uma técnica mista entre a Deposição Química na Fase Vapor a Pressão Atmosférica (APCVD) e o Aspergimento Pirolítico. Os processos de deposição de filmes de Sn\'O IND. 2\' desenvolvidos caracterizam-se por sua simplicidade e baixo custo, dispensando equipamentos sofisticados e operando em temperaturas inferiores a \'500 GRAUS\'C. Três sistemas de deposição de Sn\'O IND. 2\' foram abordados para avaliar a influência da temperatura de deposição do substrato, do tipo e quantidade de material fonte utilizado, do fluxo do gás de arraste e do tempo de deposição sobre a espessura do filme de Sn\'O IND. 2\' e sua resistividade. Os três sistemas incluem o Aspergimento Pirolítico sendo que no primeiro é incluído um nebulizador hospitalar, no segundo o nebulizador incorpora um elemento ultra-sônico e no terceiro há um sistema misto entre o Aspergimento Pirolítico e o CVD usando nebulizador ultra-sônico. Os filmes de Sn\'O IND. 2\' são depositados sobre substratos usando compostos de vidro, Si previamente oxidado de \'Al IND. 2\'\'O IND. 3\'O IND. 2\' ao longo de sua superfície é avaliada através da técnica de medida de resistência de espraiamento, e os resultados obtidos comprovam que os filmes de Sn\'O IND. 2\' apresentaram boa uniformidade. Os filmes finos de Sn\'O IND. 2\' são caracterizados estrutural e eletricamente em função dos parâmetros do processo de deposição.