Deposição e caracterização de filmes de nitreto de titânio para utilização como barreira intermetálica.

• Ano de defesa: 1995
• Autor(a) principal: Osório, Sérgio Paulo Amaral
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Filmes de nitreto de titânio; Titanium nitride Films
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18112024-112517/

Filmes de nitreto de titânio (\'TI\'n) foram depositados por sputering reativo a temperatura ambiente (sem aquecimento de substrato) e com potência RF, utilizando um Magnetron Sputer Balzers BAS-450. A pressão total de trabalho (\'N IND.2\' + \'AR\') foi mantida em \'3X10 POT.3-\' mbar, e a pressão parcial de \'N IND.2\' foi variada entre 20 e 70% da pressão total. Verificou-se que, com potência de 1000w, a pressão crítica para a formação do \'TI\'n situa-se entre 35 e 40% da pressão total, e a 1200w, a pressão crítica situa-se entre 40 e 45%. Os filmes foram caracterizados por difração de raiosX (XRD), Rutherford Back-Scattering (RBS), microscopia de varredura eletrônica (SEM) e pela técnica de quatro pontas. Os resultados indicam que as resistividades dos filmes depositados com potência RF, entre 25 e 50\'MICRO-OHM\'cm, são menores que as daqueles depositados com potência DC, maiores que 70\'MICRO-OHM\'cm, reportados na literatura. Um amplo estudo dos efeitos de variação de parâmetros de processo nas propriedades do filme foi efetuado. As limitações do equipamento utilizado e suas consequências nas propriedades dos filmes de \'TI\'n foram analisadas, bem como a formação do siliceto de titânio (\'TI\'\'SI IND.2\') e na fabricação da estrutura \'AL\'/\'TI\'n/\'TI\'\'SI IND.2\'/\'SI\'- \'N POT.+\'.