Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k).

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Sonnenberg, Victor
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Microelectronics
Microeletrônica
SOI MOSFET Transistor
Transistor SOI MOSFET
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/
Resumo: Neste trabalho, foi analisada a região de sublimiar do transistorSOI MOSFET de camada fina operando a temperatura ambiente e criogênica (T=77K) através do inverso da inclinação de sublimiar (Fator S) em função da tensão do substrato. Realizou-se simulações numéricas bidimensionais MEDICI para avaliar o efeito da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface no Fator S, nas condições de segunda interface acumulada e depletada e foi proposto um método simples para a determinação destas densidades. Experimentalmente, observou-se uma região de transição entre o Fator S com a segunda interface acumulada e o Fator S com a segunda interface depletada não modelada pelas equações clássicas. Pela literatura esta região de transição é causada pela variação da densidade de armadilhas na segunda interface, no entanto, esta transição pode ser causada pelo fato da segunda interface não estar totalmente depletada, comprovado atravás de simulações da região de depleção. Nas medidas realizadas a temperatura criogênica observou-se efeitos transitórios causados pela não formação da camada de acumulação na segunda interface. Desenvolveu-se um método experimental para se reduzir estes efeitos transitórios.
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