Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1997
Autor(a) principal: Rasia, Luiz Antonio
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Elementos piezoresistivos
Piezoresistive elements
Pressure sensor
Senor de pressão
Sensores
Sensors
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-03102024-153011/
Resumo: O presente trabalho visa fornecer as bases para o projeto e a caracterização de piezoresistores de silício que podem ser empregados na fabricação de sensores de pressão piezoresistivos integrados, que incorporam em um mesmo chip tanto o elemento sensível como o elemento transdutor, usando a tecnologia CMOS de 1,2 \'mü\'m e pós-processamento. O estudo realizado possibilitou entender o efeito piezoresistivo no Si e algumas características elétricas e térmicas, através da caracterização experimental de piezoresistores construídos com silício mono e policristalino, fornecendo parâmetros de engenharia adequados ao projeto de sensores de pressão e que poderão ser empregados para a fabricação em escala industrial. O uso da tecnologia padrão de circuitos integrados através de uma \"foundry\" permite fabricar \"gauges\" que, adequadamente posicionados em uma fina membrana obtida por corrosão anisotrópica, convertem o esforço mecânico aplicado em uma variação da resistência elétrica. Pode-se obter informações em termos do comportamento das propriedades elétricas, térmicas, mecânicas e dos efeitos cruzados nos elementos piezoresistivos, o que possibilita incorporar grandes melhorias funcionais aos sensores de pressão que venham a ser fabricados com silício.
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