Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado.

• Ano de defesa: 2020
• Autor(a) principal: Gonçalves, Guilherme Vieira
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Microelectronics; Microeletrônica; Semiconductors; Semicondutores; Transistores; Transistors
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

O presente trabalho possui como proposta o estudo do comportamento elétrico de transistores de múltiplas portas, FinFET (Fin Field-Effect-Transistor), de germânio com canal não tensionado do tipo p. Parte significativa deste estudo é identificar a influência do plano de terra no que se refere à concentração de dopantes e posicionamento no comportamento elétrico dos dispositivos. Neste caso, parâmetros elétricos principais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância são estudados, além da análise de comportamento das correntes de dreno, fonte e substrato. Soma-se ao estudo, a verificação do comportamento da mobilidade, também sob o critério de investigar o efeito do plano de terra a este parâmetro. Para tal, foram utilizados dados obtidos por meio de medidas experimentais e simulação numérica tridimensional. Neste contexto, constatou-se com o uso das simulações e comparações aos dados experimentais que a variação da concentração de dopantes do plano de terra, implica na degradação da inclinação de subliminar, bem como uma direta dependência entre a transcondutância e a profundidade do. Adicionalmente observa-se que a variação da tensão de limiar VT para as medidas extraídas e simuladas são de aproximadamente 60 mV para o critério de concentração de dopantes e de 50 mV para a influência da profundidade do ground plane (GP) em relação à base da aleta.