Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBE

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1997
Autor(a) principal: Charcape, Galo Emilio Sisniegas
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
InP
MBE
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/
Resumo: Neste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH.
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spelling Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBEGrowth of the In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As on InP by MBECrescimento de estruturas de gases bidimensionaisGrowth of two-dimensional structure of gasesInPInPMBEMBENeste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH.In this work Molecular Beam Epitaxy (MBE) was used to growth bidimensional gas structures based on In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As on Indium Phosfate substrate (lnP) Structural. electrical and optical properties were analyzed by characterisation techniques such as Hall eflect, photoluminescence (PL), Shubnikov-de Haas (SdH) and Scanning Electron Microscope (SEM) Growth parameter calibration such as growth rate and alloy composition of In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As was determined through observation of Reflexion High-Energy Electron Diffraction (RHEED) oscillation. Density of type dopant (in our case silicon Si) was obtained by. Hall effect measurements using Van der Pauw geometry Photoluminescence results show donor to band transition with Full Width at Half Maxima (FHWM) of approximatly 23meV, for the In0.52Al0.48As alloy. Bidimensional gas formation was indirectly observed in these samples through SdH oscillations.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPBasmaji, PierreCharcape, Galo Emilio Sisniegas1997-06-24info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-14012009-094440/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2016-07-28T16:09:57Zoai:teses.usp.br:tde-14012009-094440Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212016-07-28T16:09:57Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
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