Transição polarônica de elétrons na superfície de hélio líquido

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1983
Autor(a) principal: Degani, Marcos Henrique
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Não disponível
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Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-151232/
Resumo: Nesta tese estuda-se a interação elétron (exciton) - fônon em várias estruturas semicondutoras tais como poços quânticos, heterojunções, fios quânticos e filmes semicondutores crescidos sobre um substrato semicondutor, através de um método variacional. Mostra-se que a interação elétron (exciton) - fônon LO é importante tanto nos poços quânticos como nos fios quânticos, aumentando a energia de ligação dos excitons e dos elétrons ligados à uma impureza hidrogênica doadora. No caso de elétrons ligados a uma impureza mostra-se que os efeitos de blindagem reduzem drasticamente a energia de ligação e os efeitos polarônicos. Nos fios quânticos, é mostrado que a interação elétron-fônon LO produz efeitos polarônicos sempre superiores aos em sistemas produzidos tridimensionais ou quase-bidimensionais. Estudam-se também os fônons interfaciais existentes em poços quânticos, heterojunções e filmes semicondutores. Obtem-se as relações de dispersão, o potencial de interação elétron-fônon interfacial e os efeitos polarônicos
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