Projeto, construção e caracterização de um forno para recozimento térmico rápido (RTP).
| Ano de defesa: | 1990 |
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| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16012025-150224/ |
Resumo: | Construiu-se um forno para recozimento de laminas de silício pelo processo R.T.P. (Recozimento Térmico Rápido). A fonte de calor utilizada foi uma resistência de grafite. 0 forno opera com vácuo que chega à ordem de 3 E-07 Torr. Com a utilização de antecâmara para manter o vácuo na câmara de processo mesmo durante a introdução da amostra, o tempo de recozimento é da ordem de minutos. Para medição de temperatura usou-se pirômetro ótico e termopar, este último colado a uma amostra de teste. A temperatura de operação do forno pode variar desde 400 a 1 .300ºC. Durante a caracterização foi observado os transientes de temperatura em amostra pouco e muito dopado. Com microscópio eletrônico de varredura foi feito o estudo da morfologia para amostras de silicetos. |
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Projeto, construção e caracterização de um forno para recozimento térmico rápido (RTP).Untitled in englishFornoOvenRapid thermal annealingRecozimento térmico ráopidoConstruiu-se um forno para recozimento de laminas de silício pelo processo R.T.P. (Recozimento Térmico Rápido). A fonte de calor utilizada foi uma resistência de grafite. 0 forno opera com vácuo que chega à ordem de 3 E-07 Torr. Com a utilização de antecâmara para manter o vácuo na câmara de processo mesmo durante a introdução da amostra, o tempo de recozimento é da ordem de minutos. Para medição de temperatura usou-se pirômetro ótico e termopar, este último colado a uma amostra de teste. A temperatura de operação do forno pode variar desde 400 a 1 .300ºC. Durante a caracterização foi observado os transientes de temperatura em amostra pouco e muito dopado. Com microscópio eletrônico de varredura foi feito o estudo da morfologia para amostras de silicetos.It has been built a rapid thermal process furnace to anneal Si wafers. A graphite resistance was used as a heat source. The ultimate pressure of the vacuum system is 3 E-07 Torr. Using a load chamber provides an annealing time of just a few minutes because the vacuum is preserved during the wafer loading. An optical pyrometer and a thermocouple, the last one fixed in a Si sample wafer, was used to measure the temperature inside the chamber. The operation temperature in the furnace can be ajusted from 400 to 1.300ºC. The characterization of the furnace was done by measuring the temperature transients in doped and heavily doped Si samples. In addition, a TEM (Transmission Electron Microscope) was used to study the morphology of silicides.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPSwart, Jacobus WillibrordusKawano, Mario1990-12-19info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16012025-150224/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2025-01-16T17:09:02Zoai:teses.usp.br:tde-16012025-150224Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212025-01-16T17:09:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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