Estudo da formação de disiliceto de cobalto em duas etapas térmicas sobre silício monocristalino altamente dopado.

• Ano de defesa: 1995
• Autor(a) principal: Simões, Eliphas Wagner
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Cobalt; Cobalto; Silício; Silicon
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-15082024-090855/

Neste trabalho estudamos a formação de siliceto de cobalto sobre substrato de silício monocristalino pouco e altamente dopado, em duas etapas térmicas, intercaladas por um ETCH seletivo de cobalto não reagido. Para a primeira etapa, tratamentos isotérmicos foram conduzidos a 400\'GRAUS\'c por recozimento térmico rápido em ambiente de argônio. Como resultado, observamos uma forte influência do tipo de dopante no processo de silicetação em baixa temperatura: no caso de amostras dopadas com boro, há indícios de um adiamento da formação da fase \'CO\'\'SI\'. Para as amostras dopadas com arsênio, o crescimento da fase \'CO IND.2\'\'SI\' é limitado e a presença da fase \'CO\'\'SI\' não foi observada. Verificamos forte perda de arsênio em função do tempo da primeira etapa térmica, perda esta que se tornou mais crítica apás a segunda etapa. A condição 400\'GRAUS\'c/120 segundos se mostrou a mais viável para a primeira etapa, pois o filme de disiliceto de cobalto obtido apás a segunda etapa (750\'GRAUS\'c/30 segundos) tem espessura da ordem de 50\'NANOMETROS\', com uma concentração de arsênio no substrato de 4,18 x\'10 POT.14\' átomos por centímetro quadrado.