ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1996
Autor(a) principal: Franca, Ecio Jose
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Circuitos eletrônicos
Electron circuits
Electron structure
Estrutura eletrônica
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
Resumo: Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
id USP_f794d958cf4af36e63e6ba1fbb6bb943
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-06062017-150805
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str
spelling ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAsElectron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in \'GA\'AS\'Circuitos eletrônicosElectron circuitsElectron structureEstrutura eletrônicaApresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPAssali, Lucy Vitoria CredidioFranca, Ecio Jose1996-02-23info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2018-07-17T16:34:08Zoai:teses.usp.br:tde-06062017-150805Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212018-07-17T16:34:08Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in \'GA\'AS\'
title ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
spellingShingle ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Franca, Ecio Jose
Circuitos eletrônicos
Electron circuits
Electron structure
Estrutura eletrônica
title_short ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
title_full ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
title_fullStr ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
title_full_unstemmed ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
title_sort ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
author Franca, Ecio Jose
author_facet Franca, Ecio Jose
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Assali, Lucy Vitoria Credidio
dc.contributor.author.fl_str_mv Franca, Ecio Jose
dc.subject.por.fl_str_mv Circuitos eletrônicos
Electron circuits
Electron structure
Estrutura eletrônica
topic Circuitos eletrônicos
Electron circuits
Electron structure
Estrutura eletrônica
description Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996-02-23
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
url http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1815257901121404928

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