Simulação numérica da fase líquida do crescimento de silício pelo método Czocharalski.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1986
Autor(a) principal: Scalvi, Luis Vicente de Andrade
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Czochralski
Elementos finitos
Fase líquida
Finite element
Liquid phase
Numerical simulation
Silício
Silicon
Simulação numérica
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13102009-111526/
Resumo: Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.
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