Um amplificador de potência para radiofreqüência em tecnologia CMOS.

• Ano de defesa: 2004
• Autor(a) principal: Triana, Rodrigo Alberto Llorente
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Amplificador classe B; Class B amplifier; Microelectronics; Microeletrônica
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-14112024-151154/

Neste trabalho é apresentado um método de projeto para um amplificador integrado classe B em tecnologia CMOS. São analisadas as diferentes classes de amplificadores de potência para determinar a melhor opção quando se planeja a utilização de um esquema de modulação que modifique a amplitude do sinal portador. O método de projeto descreve a forma de calcular a carga ótima. A carga ótima é a que maximiza a eficiência de potência adicionada. É mostrada a análise de duas das mais conhecidas redes de acoplamento de impedância: a rede L e a rede p. O amplificador é composto por dois estágios: o estágio de entrada e o estágio de saída. O estágio de entrada é adaptado para conseguir controlar a potência de saída. O estágio de saída entrega a potência para a carga. O amplificador é projetado para o processo CMOS 0,35 µm da Austria Micro Systems, com uma fonte de alimentação de 3,3 V. O projeto é feito visando a banda ISM de 2,45 GHz. As simulações mostram que o amplificador entrega uma potência máxima de saída de 139 mW com uma eficiência de potência adicionada de 40 % aproximadamente.