Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2010
Autor(a) principal: Silva, A. L.
Orientador(a): Gimenez, S. P.
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Métodos de simulação
Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
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