Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturas

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2012
Autor(a) principal: Carvalho, Daniel Belo de
Orientador(a): Bellodi, Marcello
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/662
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